| 講演名 | 2015-01-16 シリコン基板上GaN-HEMTの高周波特性の改善(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 眞壁 勇夫, 市川 弘之, 由比 圭一, 河内 剛志, 井上 和孝, 中田 健, |
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| 抄録(和) | シリコン基板上のGaN-HEMTは高周波デバイス、パワーデバイスへの応用が期待されている。シリコン基板は炭化ケイ素(SiC)基板と比較して大口径、高品質かつ低価格といった点で非常に優れている。しかしながら、シリコン基板の比抵抗はSiC基板と比較して5桁以上低い。それに加えて、窒化物半導体を構成するIII族元素はエピ成長中にシリコン基板中に拡散し、導電層を形成し寄生容量の増加へとつながる。寄生容量の増加は高周波特性を大きく阻害することになる。本報告では、シリコン基板中へのIII族元素の拡散を抑制し、高周波特性を大きく改善した結果について述べる。 |
| 抄録(英) | GaN-HEMT on Silicon (Si) technology is very attractive to RF & power device applications. Si substrate is superior to Silicon Carbide (SiC) substrate in terms of large-diameter, high-quality and low-cost. However, there is a disadvantage of Si substrate on lower resistivity by 5 orders of magnitude as compared with the SiC substrate when used in high frequency application. In addition, Ill-group element is diffused into the Si substrate, and a conductive layer is formed and increase parasitic capacitance. This parasitic capacitance decreases the high frequency RF performance. In this paper, we report that to overcome these problems. We significantly improved high-frequency characteristics. |
| キーワード(和) | GaN-HEMT / Si基板 / 高周波 / 寄生容量 / AlGaN / InAlN |
| キーワード(英) | GaN-HEMT / Si substrate / RF / parasitic capacitance / AlGaN / InAlN |
| 資料番号 | ED2014-128,MW2014-192 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2015/1/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン基板上GaN-HEMTの高周波特性の改善(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of RF performance of GaN-HEMT on silicon substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN-HEMT / GaN-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波 / RF |
| キーワード(4)（和/英） | 寄生容量 / parasitic capacitance |
| キーワード(5)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(6)（和/英） | InAlN / InAlN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 眞壁 勇夫 / Isao Makabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市川 弘之 / Hiroyuki Ichikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 由比 圭一 / Keiichi Yui |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 河内 剛志 / Tsuyoshi Kawauchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井上 和孝 / Kazutaka Inoue |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中田 健 / Ken Nakata |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 発表年月日 | 2015-01-16 |
| 資料番号 | ED2014-128,MW2014-192 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 392 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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