| 講演名 | 2015-01-16 X-Ku帯高効率GaN HEMT増幅器MMICの開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 新井田 佳孝, 鎌田 陽一, 多木 俊裕, 尾崎 史朗, 牧山 剛三, 岡本 直哉, 佐藤 優, 増田 哲, 渡部 慶二, |
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| 抄録(和) | X-Ku帯広帯域GaN HEMT MMIC電力増幅器を作製した.単位トランジスタのロードプル測定から最適インピーダンスの周波数依存性を,周波数を変数とする多項式として導出し,小信号設計にて広帯域整合回路を設計した.作製したGaN HEMT MMIC電力増幅器は8-18GHzにおいて平均電力32dBm,平均効率29%の特性を示し,更に帯域内における出力電力と効率の変動が従来の増幅器と比べて小さいことがわかった. |
| 抄録(英) | A new design methodology was proposed to obtain wide-bandwidth and flat-group-delay reactive-matching GaN HEMT MMIC amplifiers. Frequency dependence of the optimal source and load impedance of a GaN HEMT are derived as polynomial equations and matching circuits are designed by small signal simulation without the use of large-signal transistor model and large-signal simulation. Fabricated GaN HEMT MMIC amplifiers, which show a small deviation of Pout and PAE in the range of 8-18 GHz, prove that our methodology is suitable for the design of a wide-bandwidth MMIC amplifier. |
| キーワード(和) | GaN / HEMT / X-Ku帯 / 広帯域増幅器 |
| キーワード(英) | GaN / HEMT / X-Ku band / wideband power amplifier |
| 資料番号 | ED2014-127,MW2014-191 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2015/1/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | X-Ku帯高効率GaN HEMT増幅器MMICの開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | X-Ku wide-bandwidth GaN HEMT MMIC Amplifier with Small Deviation of Output Power and PAE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | X-Ku帯 / X-Ku band |
| キーワード(4)（和/英） | 広帯域増幅器 / wideband power amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新井田 佳孝 / Yoshitaka Niida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鎌田 陽一 / Yoichi Kamada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 尾崎 史朗 / Shiro Ozaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo Makiyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岡本 直哉 / Naoya Okamoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 佐藤 優 / Masaru Sato |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 増田 哲 / Satoshi Masuda |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 渡部 慶二 / Keiji Watanabe |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 発表年月日 | 2015-01-16 |
| 資料番号 | ED2014-127,MW2014-191 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 392 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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