| 講演名 | 2015-01-16 X帯310W高出力GaN HEMT増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 菊池 憲, 西原 信, 山本 洋, 水野 慎也, 八巻 史一, 山本 高史, |
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| 抄録(和) | GaN HEMTを用いたX帯高出力・広帯域内部整合型増幅器について報告する.X帯レーダー用増幅器の固体素子化に向けて,GaN HEMT増幅器の高出力化が期待されている.我々は14.4mmのゲート幅を有するGaN HEMTを2つ用い,入力および出力側にそれぞれ2段のインピーダンス変換器を備えた内部整合型増幅器を開発した.今回開発した増幅器は,ドレイン電圧65Vのパルス駆動で,8.5-10.0GHzにおいて出力電力310W,パワーゲイン10.0dBを得た.また,9.0GHzにおいて出力電力333W,パワーダイン10.2dBを得た.この結果はこれまでにX帯で報告されているGaN HEMT増幅器において最高の出力電力である. |
| 抄録(英) | A high-output power and broadband GaN high electron mobility transistor (HEMT) has been developed for X-band applications. The device consists of 2-dice of 14.4-mm gate periphery together with input and output 2-stage impedance transformers. The device exhibited saturated output power of 310 W with power gain of 10.0 dB over the wide frequency range of 8.5-10.0 GHz, operating at 65 V drain voltage under pulsed condition. In addition, the highest saturated output power reached 333 W with power gain of 10.2 dB at 9.0 GHz. This is the highest output power GaN HEMT ever reported for X-band. |
| キーワード(和) | GaN HEMT / 増幅器 / X帯 / レーダー / 高出力 / 広帯域 |
| キーワード(英) | GaN HEMT / power amplifiers / X-band / radar / high-output power / broadband |
| 資料番号 | ED2014-126,MW2014-190 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2015/1/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | X帯310W高出力GaN HEMT増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An X-band 310 W High Power GaN HEMT Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 増幅器 / power amplifiers |
| キーワード(3)（和/英） | X帯 / X-band |
| キーワード(4)（和/英） | レーダー / radar |
| キーワード(5)（和/英） | 高出力 / high-output power |
| キーワード(6)（和/英） | 広帯域 / broadband |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菊池 憲 / Ken KIKUKCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西原 信 / Makoto NISHIHARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山本 洋 / Hiroshi YAMAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水野 慎也 / Shinya MIZUNO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 八巻 史一 / Fumikazu YAMAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山本 高史 / Takashi YAMAMOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 発表年月日 | 2015-01-16 |
| 資料番号 | ED2014-126,MW2014-190 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 392 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |