| 講演名 | 2015-01-16 低リークTaONパッシベーションGaN HEMTを用いたRFテスタ用10MHz-12GHz帯超高速低歪みSP4Tスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 君島 正幸, 小山 慧, 大西 将夫, |
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| 抄録(和) | 低ゲートリーグTaONパッシベーションGaNショットキーHEMTプロセスを用いたRFテスタフロントエンド用10MHz～12GHz帯超高速低歪みSP4Tスイッチについて報告する.TaONパッシベーション膜の超低ゲートリーク特性により,低域から高域に亘る周波数帯域において52dBm以上の入力3次歪み特性を得た.さらにTaON膜の低ダメージデポジッションにより,対最終収束値0.01dB以内制定時間10μs以下を実現した.TTL制御可能なデコード回路を内蔵し利便性と集積性を高めた. |
| 抄録(英) | A 10 MHz - 12 GHz low distortion high speed single pole 4 throw (SP4T) GaN HEMT switch for RF Automated Test Equipment (ATE) is described. The switch is fabricated with the Schottky GaN HEMT process with drastically decreased gate leakage current having tantalum oxynitride (TaON) passivation films to improve distortion performances at low frequency. The switch has high input 3rd order intercept point (IP3) of more than 52 dBm across a frequency range of 10 MHz to 12 GHz and fast settling time of less than 10 us to within 0.01 dB. In addition, a drastic low damage passivation deposition technology can execute very high speed switching performance. An on-chip decode logic with TTL level input for the state control is also integrated. |
| キーワード(和) | GaN HEMT / ゲートリーグ電流 / RFスイッチ |
| キーワード(英) | GaN HEMT / gate leakage current / RF switch |
| 資料番号 | ED2014-125,MW2014-189 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2015/1/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 低リークTaONパッシベーションGaN HEMTを用いたRFテスタ用10MHz-12GHz帯超高速低歪みSP4Tスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 10 MHz to 12 GHz Low-Distortion High-Speed SP4T Switch for RF ATE Using TaON Passivation GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | ゲートリーグ電流 / gate leakage current |
| キーワード(3)（和/英） | RFスイッチ / RF switch |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 君島 正幸 / Masayuki KIMISHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | アドバンテスト研究所 Advantest Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小山 慧 / Satoshi KOYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | アドバンテスト研究所 Advantest Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大西 将夫 / Masao ONISHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | アドバンテスト研究所 Advantest Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2015-01-16 |
| 資料番号 | ED2014-125,MW2014-189 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 392 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |