| 講演名 | 2015-01-16 社会インフラシステムのなかのGaNデバイス(招待講演,化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 山中 宏治, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 近年、GaNデバイスの普及が急速に広まっている。移動体通信基地局や衛星通信システムなどの無線通信システムに加えて気象レーダなどのレーダ装置、マイクロ波電力伝送装置などの社会インフラシステムへの適用が始まっている。本稿では社会インフラシステムの中で活躍するGaNデバイスを紹介するとともに、GaNデバイスの新しい応用分野として期待されるマイクロ波化学についても紹介する。 |
| 抄録(英) | In this article, GaN related development activities of Mitsubishi Electric Corporation and their utilization in the infrastructure systems are described. Since the world's first C-band GaN amplifier with 140W output power was reported in IMS2004, Mitsubishi Electric has developed many GaN high power amplifiers and commercialized some GaN devices. Also those GaN devices have been applied to solid state weather radar systems, satellite communication systems, and microwave power transmission systems etc. Brief introduction of such activities will be given. Finally, some possible application fields for GaN devices will be discussed. |
| キーワード(和) | GaN HEMT / 高電圧 / MODFET高出力増幅器 |
| キーワード(英) | GaN HEMT / High-voltage techniques / MODFET power amplifiers |
| 資料番号 | ED2014-124,MW2014-188 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
|---|---|
| 開催期間 | 2015/1/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 社会インフラシステムのなかのGaNデバイス(招待講演,化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN devices employed in infrastructure systems |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 高電圧 / High-voltage techniques |
| キーワード(3)（和/英） | MODFET高出力増幅器 / MODFET power amplifiers |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji YAMANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
| 発表年月日 | 2015-01-16 |
| 資料番号 | ED2014-124,MW2014-188 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 392 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |