| 講演名 | 2015-01-15 X線観測用誘電体マイクロカロリメータに向けた極低温動作下における高利得X帯低雑音増幅器の耐放射線性の検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 野地 拓匡, 宮路 晃平, 菊池 貴大, 山崎 典子, 満田 和久, 川崎 繁男, |
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| 抄録(和) | 8-12GHzのマイクロ波集積回路低雑音増幅器は、極低温かつ放射線下でのX線観測のために設計された.低雑音増幅器は、300Kにて10GHzで、32.7dBの利得を持ち、77Kの極低温への冷却時は、33.8dBの高利得を達成した.雑音指数は10GHzにおいて300Kで2.1dBであり、103Kでは0.86dBであった.加えて、宇宙環境下における耐放射線性を評価するTID試験を実施した.TID試験の前後において低雑音増幅器利得の利得及び雑音指数の評価を行い、劣化のない事を確認した. |
| 抄録(英) | A 8-12 GHz monolithic microwave integrated circuit (MMIC) low noise amplifier (LNA) was designed for X-ray astronomy with cryogenic temperature and under radiation. The LNA was fabricated using a 0.15 urn gate length GaAs-based pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) process. At 10 GHz, the LNA module has a gain of 32.7 dB and a noise figure of 2.1 dB at 300 K. The module was cooled down to a cryogenic temperature of 77 K, where the LNA a achieved high gain of 33.8 dB. At 1OGHz, the noise figure at 103 K was 0.86 dB. In additional, total ionizing dose (TID) test was performed for the LNA that are expected to be used in astronomy. The gain and the noise figure of this LNA module did not deteriorate before and after this TID test. |
| キーワード(和) | 極低温 / MMIC / 低雑音増幅器 / 放射線耐性 / X線天文学 / p-HEMT / TIDテスト |
| キーワード(英) | Cryogenic / monolithic microwave integrated circuit (MMIC) / Low noise amplifier (LNA) / Radiation / X-ray astronomy / pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) / total ionizing dose test |
| 資料番号 | ED2014-123,MW2014-187 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2015/1/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | X線観測用誘電体マイクロカロリメータに向けた極低温動作下における高利得X帯低雑音増幅器の耐放射線性の検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The X-band High Gain and Radiation-Hardness Low-Noise GaAs MMIC Amplifier with Cryogenic Temperature for X-ray Astronomy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極低温 / Cryogenic |
| キーワード(2)（和/英） | MMIC / monolithic microwave integrated circuit (MMIC) |
| キーワード(3)（和/英） | 低雑音増幅器 / Low noise amplifier (LNA) |
| キーワード(4)（和/英） | 放射線耐性 / Radiation |
| キーワード(5)（和/英） | X線天文学 / X-ray astronomy |
| キーワード(6)（和/英） | p-HEMT / pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) |
| キーワード(7)（和/英） | TIDテスト / total ionizing dose test |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野地 拓匡 / Takumasa NOJI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 首都大学東京理工学研究科:宇宙航空研究開発機構 Grad. School of Science & Engineering, Tokyo Metropolitan University:ISAS/JAXA |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮路 晃平 / Akihira MIYACHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 宇宙航空研究開発機構 ISAS/JAXA |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 菊池 貴大 / Takahiro KIKUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 宇宙航空研究開発機構:東京大学 ISAS/JAXA:Toyko University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山崎 典子 / Noriko Y. YAMASAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 宇宙航空研究開発機構 ISAS/JAXA |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 満田 和久 / Kazuhisa MITSUDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 宇宙航空研究開発機構 ISAS/JAXA |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 川崎 繁男 / Shigeo KAWASAKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 宇宙航空研究開発機構 ISAS/JAXA |
| 発表年月日 | 2015-01-15 |
| 資料番号 | ED2014-123,MW2014-187 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 392 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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