講演名 2015-01-29
薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討(製造・性能考慮手法,FPGA応用及び一般)
小坂 翼, 中村 昌平, 宇佐美 公良,
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抄録(和) 微細化による性能向上はリーク電流の指数関数的な増加による消費電力の増大とプロセスばらつきにより阻まれている。これらを解決するためにFD-SOIデバイスの1つである薄膜BOX-SOI(SOTB:Silicon on Thin BOX)が提案されている。またトランジスタには発熱の問題がある。発熱はトランジスタの劣化や故障を引き起こし、チップの動作に異常をきたす。そのため、チップ上の温度を測定する温度センサが必要となっている。この問題を解決するために、本論文では薄膜BOX-SOIに向けた温度センサを提案する。提案する温度センサを実装したSOTBとバルク65nmプロセスの試作チップを用いて測定を行い、従来のバルクトランジスタと比較して温度に対する分解能を増大させ、チップごとのプロセスばらつきを基板バイアスによって低減できることを示す。
抄録(英) The performance advancement by the transistor scaling is blocked by increase of power consumption and process variation. Silicon on Thin BOX(SOTB) solve these problems. In addition, there is a problem that the temperature changes in a transistor. The temperature change causes deterioration and the trouble of the transistor and causes malfunction of the chip. The temperature sensor which measures the temperature in the chip is necessary. In this paper, a temperature sensor for SOTB is proposed. We demonstrate that the temperature sensor for SOTB enables us to achieve high precision of the thermometry and mitigate the process variation at every chip by Body Bias than a conventional bulk transistor.
キーワード(和) 薄膜BOX-SOI / 基板バイアス / 温度センサ / リークモニタ / プロセスばらつき
キーワード(英) Silicon-on-Thin-BOX MOSFET / Body Bias / Temperature sensor / Leakage monitor / Process variation
資料番号 VLD2014-127,CPSY2014-136,RECONF2014-60
発行日

研究会情報
研究会 RECONF
開催期間 2015/1/22(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Reconfigurable Systems (RECONF)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討(製造・性能考慮手法,FPGA応用及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Temperature sensor applying Body Bias in Silicon-on-Thin-BOX
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 薄膜BOX-SOI / Silicon-on-Thin-BOX MOSFET
キーワード(2)(和/英) 基板バイアス / Body Bias
キーワード(3)(和/英) 温度センサ / Temperature sensor
キーワード(4)(和/英) リークモニタ / Leakage monitor
キーワード(5)(和/英) プロセスばらつき / Process variation
第 1 著者 氏名(和/英) 小坂 翼 / Tsubasa KOSAKA
第 1 著者 所属(和/英) 芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻
Graduate School of Engineering and Science,Shibaura Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 中村 昌平 / Shohei NAKAMURA
第 2 著者 所属(和/英) 芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻
Graduate School of Engineering and Science,Shibaura Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 宇佐美 公良 / Kimiyoshi USAMI
第 3 著者 所属(和/英) 芝浦工業大学工学部情報工学科
Department of Information Science and Engineering, Shibaura Institute of Technology
発表年月日 2015-01-29
資料番号 VLD2014-127,CPSY2014-136,RECONF2014-60
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 428
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日