| 講演名 | 2014-12-19 その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3μm帯メタモルフィックレーザの高速変調動作(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般) 中尾 亮, 荒井 昌和, 小林 亘, 山本 剛, 松尾 慎治, |
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| 抄録(和) | メタモルフィック成長技術は,半導体デバイス作製における格子整合の制約を解放し,通信波長帯レーザの高性能化や光電子集積などへの応用が期待される.本報告では,メタモルフィックバッファの結晶成長に際し,成長時その場ウェハ曲率測定を用いることで高精度な格子緩和率制御を可能とする手法を提案する.これにより, GaAs基板上に従来にない薄さを有する膜構造で低転位なInGaAsメタモルフィックバッファ層の形成に成功した.この薄膜化により,微細加工プロセスを制限していたウェハ反りの大幅低減を可能とし,薄膜バッファ上に作製したレーザにおいて,発振波長1.3μm帯で187Kの特性温度と25Gbit/sの直接変調動作を達成した. |
| 抄録(英) | Metamorphic-growth technology has a potential to overcome the restriction of the lattice matching in the semiconductor device fabrication; this technology enables to construct a high-performance lasers for a data transmission system in telecom and photonics-electronics integrated devices in ICT equipment. In this report, we proposed a new device fabrication method which enables highly-accurate control of crystal lattice relaxation of metamorphic buffer by introducing in-situ wafer curvature measurements during growth. As a result, we successfully achieved a thin InGaAs metamorphic buffer with a low dislocations and small wafer curvature on a GaAs substrate; this buffer enables us to fabricate metamorphic laser diode. We have also confirmed that a prototype laser had a high characteristic temperature (187 K) and a directly modulation of 25 Gbit/s at 1.3μm. |
| キーワード(和) | メタモルフィック結晶成長 / その場測定 / 直接変調 / 高温度特性 |
| キーワード(英) | Metamorphic Growth / In-situ Measurement / Direct Modulation / High Temperature Characteristics |
| 資料番号 | OPE2014-150,LQE2014-137 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2014/12/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3μm帯メタモルフィックレーザの高速変調動作(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-speed operation of 1.3 μm GaAs/InGaAs metamorphic lasers fabricated by using highly-accurate control of crystal lattice relaxation based on in-situ wafer curvature measurement |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | メタモルフィック結晶成長 / Metamorphic Growth |
| キーワード(2)（和/英） | その場測定 / In-situ Measurement |
| キーワード(3)（和/英） | 直接変調 / Direct Modulation |
| キーワード(4)（和/英） | 高温度特性 / High Temperature Characteristics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中尾 亮 / Ryo NAKAO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社:NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, Nippon Telegraph and Telephone Corporation:NTT Device Technology Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 荒井 昌和 / Masakazu ARAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社:NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, Nippon Telegraph and Telephone Corporation:NTT Device Technology Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 亘 / Wataru KOBAYASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 NTT Device Technology Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 剛 / Tsuyoshi YAMAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 NTT Device Technology Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松尾 慎治 / Shinji MATSUO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社:NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, Nippon Telegraph and Telephone Corporation:NTT Device Technology Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 発表年月日 | 2014-12-19 |
| 資料番号 | OPE2014-150,LQE2014-137 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 378 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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