| 講演名 | 2014-12-12 レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) 高尾 透, 堀田 昌宏, 石河 泰明, 浦岡 行治, |
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| 抄録(和) | フレキシブル・システムオンパネルディスプレイ実現の上で単結晶Geを200℃未満の低温プロセスで非晶質基板上へ作製する技術が求められている。本研究ではストライプ形状に加工したGe薄膜をSiO_2上に形成し、Si種結晶と接触させたものについてレーザーアニールによる結晶化を行った。電子線後方散乱回折(EBSD)マッピング測定結果より、レーザーの中心フルエンスが675mJ/cm^2、スキャン速度150μm/sのとき、ストライプ形状Ge薄膜において(111)面に配向した結晶化が確認された。また、Geストライプの結晶性に対するレーザーフルエンス、Geストライプ幅の依存性について検討した結果、ストライプ幅を小さくすることによって低フルエンスで(111)面配向結晶化が実現できることがわかった。 |
| 抄録(英) | Single-grain Germanium (Ge) on amorphous substrate is required to realize the flexible system on panel display. Stripe-patterned Ge films were fabricated on SiO_2 with Si seed and crystallized by green laser annealing. Ge films were evaluated by electron backscatter diffraction (EBSD). The results indicated that Ge films were crystallized with (111) orientation when the fluence was 675 mJ/cm^2 and the scan speed was 150 μm/s. hi addition, crystallinity dependence on laser fluence and width of Ge stripes was examined. The results indicated that crystallization with (111) orientation can be realized at a low fluence when the width of stripes is reduced. |
| キーワード(和) | ゲルマニウム / レーザーアニール |
| キーワード(英) | Germanium / Laser annealing |
| 資料番号 | EID2014-26,SDM2014-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2014/12/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystallization of Germanium Film with (111) Orientation on Amorphous Substrate by Laser Annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | レーザーアニール / Laser annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高尾 透 / Toru TAKAO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀田 昌宏 / Masahiro HORITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石河 泰明 / Yasuaki ISHIKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu URAOKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2014-12-12 |
| 資料番号 | EID2014-26,SDM2014-121 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |