| 講演名 | 2014-12-12 n-ch,p-ch,pin-ch poly-Si TFPTの光伝導性の評価(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) 渕矢 剛宏, 前田 善春, 門目 尭之, 田中 匠, 松田 時宜, 木村 睦, |
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| 抄録(和) | フォトセンサ応用を目指して,n-ch,p-ch,pin-ch poly-Si TFPTの光伝導性を評価した.ゲート端子をn領域に接続したpin-ch,n-chゲート端子をp領域に接続したpin-ch,p-chの順で,光誘起電流が大きいことが観測された.また,デバイスシミュレーションを用いて,n-ch,p-ch,pin-ch poly-Si TFPTの電子密度(n)・ホール密度(p)・再結合割合を解析した.再結合割合の差異が光誘起電流の差異の原因となっていることが示唆された. |
| 抄録(英) | We have evaluated photoconductivities of n-ch, p-ch, and pin-ch poly-Si TFPTs for photosensor application. It was observed that the photo-induced electric current is: pin-ch with the gate terminal connected to n-region > n-ch > pin-ch with the gate terminal connected to p-region > p-ch. Moreover, we have analyzed electron density (n), hole density (p), and recombination rate of the n-ch, p-ch, and pin-ch poly-Si TFPTs using device simulation. It was suggested that the difference of photo-induced electric current is caused by the difference of the recombination rate. |
| キーワード(和) | n-ch / p-ch / pin-ch / poly-Si / TFPT / 光誘起電流 / デバイスシミュレーション / 再結合割合 |
| キーワード(英) | n-ch / p-ch / pin-ch / poly-Si / TFPT / Photo-induced electric current / Device simulation / Recombination rate |
| 資料番号 | EID2014-21,SDM2014-116 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2014/12/5(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | n-ch,p-ch,pin-ch poly-Si TFPTの光伝導性の評価(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Photoconductivities of n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | n-ch / n-ch |
| キーワード(2)（和/英） | p-ch / p-ch |
| キーワード(3)（和/英） | pin-ch / pin-ch |
| キーワード(4)（和/英） | poly-Si / poly-Si |
| キーワード(5)（和/英） | TFPT / TFPT |
| キーワード(6)（和/英） | 光誘起電流 / Photo-induced electric current |
| キーワード(7)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device simulation |
| キーワード(8)（和/英） | 再結合割合 / Recombination rate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渕矢 剛宏 / Takahiro FUCHIYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 龍谷大学理工学部 |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前田 善春 / Yoshiharu MAEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 龍谷大学理工学部 / Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 門目 尭之 / Takayuki KADONOME |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 龍谷大学理工学部 Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 匠 / Takumi TANAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 龍谷大学理工学部 Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松田 時宜 / Tokiyoshi MATSUDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 龍谷大学理工学部 Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 木村 睦 / Mutsumi KIMURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 龍谷大学理工学部 |
| 発表年月日 | 2014-12-12 |
| 資料番号 | EID2014-21,SDM2014-116 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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