| 講演名 | 2014-12-12 pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) 藤原 寛朗, 森岡 直也, 田中 一, 須田 淳, 木本 恒暢, |
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| 抄録(和) | 幅の異なる長方形断面を持つ<100>,<110>,<111>,<112>方位のpチャネルゲートオールアラウンドSiナノワイヤMOSFETを作製し,「double Lm」法を用いて室温における正孔移動度の評価を行なった.表面キャリア密度が高密度の領域下で80～140cm^2/Vsの正孔移動度を達成し,ナノワイヤの方位と断面形状に関する正孔移動度の依存性を確認した.正孔移動度の結晶方位および断面形状依存性を,強束縛(Tight Binding)近似法によるバンド構造の計算結果,および異なる面方位をもった側壁面の伝導への寄与に基づいて考察し,これらから説明できることを示した. |
| 抄録(英) | We fabricated <100>, <110>, <111>, and <112> p-channel Gate-Ail-Around Si nanowire (SiNW) MOSFETs with rectangular cross sections with various width, and investigated the hole mobility of the SiNW MOSFETs using the double Lm method. Measured hole mobilities of SiNW MOSFETs were about 80-140 cm^2/Vs at n_ |
| キーワード(和) | Siナノワイヤ / MOSFET / 正孔移動度 / 有効質量 |
| キーワード(英) | Si Nanowire / MOSFET / Hole Mobility / Effective Mass |
| 資料番号 | EID2014-14,SDM2014-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2014/12/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impacts of Orientation and Cross-sectional Shape on Mobility of P-channel Si Nanowire MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Siナノワイヤ / Si Nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 正孔移動度 / Hole Mobility |
| キーワード(4)（和/英） | 有効質量 / Effective Mass |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤原 寛朗 / Hiroaki FUJIHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森岡 直也 / Naoya MORIOKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田中 一 / Hajime TANAKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 須田 淳 / Jun SUDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tsunenobu KIMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2014-12-12 |
| 資料番号 | EID2014-14,SDM2014-109 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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