| 講演名 | 2014-12-02 論理シミュレーションにもとづいたNBTI劣化過渡解析の高速化手法(学生・若手研究会) 森 一倫, 名倉 徹, 飯塚 哲也, 浅田 邦博, |
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| 抄録(和) | 負バイアス温度不安定性(NBTI)劣化が,微細化されたトランジスタにおいて重要な信頼性問題のひとつとなっている.本論文では,反応・拡散モデルを用いたNBTIシミュレーションにおいて,論理シミュレーション結果にもとづいて各トランジスタにおけるゲート酸化膜中の水素分布を計算することにより,高精度なNBTI劣化過渡解析を実現する.NBTI劣化の周波数依存性を用いることで,例えば1秒間のシミュレーション結果を1年間のシミュレーション結果へと加速変換する方法についても提案する. |
| 抄録(英) | Negative Bias Temperature Instability (NBTI) degradation is one of the important problems in nano-scale transistors. In this paper, we propose an accurate transient simulation method of NBTI degradation based on Reaction-Diffusion model by calculating hydrogen distribution at gate oxide in each transistor according to the gate input level obtained by logic simulations. We also propose an acceleration scheme of NBTI simulation based on the frequency dependence of NBTI degradation and recovery, that can extend a simulation results of one-second duration into one-year results. |
| キーワード(和) | 負バイアス温度不安定性 / 反応・拡散モデル / 信頼性 / モデリング / 劣化加速シミュレーション |
| キーワード(英) | Negative Bias Temperature Instability / Reaction-Diffusion model / reliability / modeling / accelerated aging simulation |
| 資料番号 | ICD2014-109,CPSY2014-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2014/11/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 論理シミュレーションにもとづいたNBTI劣化過渡解析の高速化手法(学生・若手研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An accelerating method of NBTI degradation transition analysis based on logic simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 負バイアス温度不安定性 / Negative Bias Temperature Instability |
| キーワード(2)（和/英） | 反応・拡散モデル / Reaction-Diffusion model |
| キーワード(3)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(4)（和/英） | モデリング / modeling |
| キーワード(5)（和/英） | 劣化加速シミュレーション / accelerated aging simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 一倫 / Kazunori MORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学工学部 Faculty of Engineering, Univercity of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 名倉 徹 / Toru NAKURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学工学部 Faculty of Engineering, Univercity of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 飯塚 哲也 / Tetsuya IIZUKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学工学部 Faculty of Engineering, Univercity of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浅田 邦博 / Kunihiro ASADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学工学部 Faculty of Engineering, Univercity of Tokyo |
| 発表年月日 | 2014-12-02 |
| 資料番号 | ICD2014-109,CPSY2014-121 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 345 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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