| 講演名 | 2014-12-02 電流ミスマッチを利用した自動ID生成回路の出力IDユニーク性評価(学生・若手研究会) 松永 賢一, 大嶋 尚一, 美濃谷 直志, 近藤 利彦, 森村 浩季, |
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| 抄録(和) | 本論文では,プロセスばらつきを利用した自動ID生成回路を提案する.開発したID生成回路はNMOSペアにおける電流ミスマッチを利用してそのIDを決定する.本研究では,その出力の1/0の出現確率のユニーク性及びプロセス依存性を検証するため,2つの0.18-μm CMOSスタンダードプロセスにおいて試作を行った.本論文では,試作された382チップの測定を行い,そのチップ間でハミング距離を算出した.結果として,チップ間ハミング距離の分布は理論的に得られる二項分布に非常によく従うことが確認され,プロセスに依存しないID生成回路となっていることが確認された. |
| 抄録(英) | This paper presents a low-power and uniquely-distributed ID-generation circuit using process variation. Developed circuit utilizes current mismatch in NMOS pair for unique ID output. In order to evaluate the output 1/0 probability-uniformity and process dependence, the prototype was fabricated in two different 0.18-μm standard CMOS technology. 382 chips were tested and the hamming distances between each chip were calculated. The result shows the circuit architecture generates unique and process-independent ID. Furthermore, the bit-generation efficiency was found to be 0.96 pJ/bit. |
| キーワード(和) | ID生成 / ミスマッチ / ハミング距離 / ユニーク性 / 二項分布 / PUF |
| キーワード(英) | ID generation / Mismatch / Hamming distance / Uniqueness / Binominal distribution / PUF |
| 資料番号 | ICD2014-108,CPSY2014-120 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2014/11/24(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電流ミスマッチを利用した自動ID生成回路の出力IDユニーク性評価(学生・若手研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Uniqueness Evaluation of a Current Mismatch type ID Generation Circuit |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ID生成 / ID generation |
| キーワード(2)（和/英） | ミスマッチ / Mismatch |
| キーワード(3)（和/英） | ハミング距離 / Hamming distance |
| キーワード(4)（和/英） | ユニーク性 / Uniqueness |
| キーワード(5)（和/英） | 二項分布 / Binominal distribution |
| キーワード(6)（和/英） | PUF / PUF |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松永 賢一 / Kenichi Matsunaga |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT先端集積デバイス研究所 NTT Device Technology Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大嶋 尚一 / Shoichi Oshima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT先端集積デバイス研究所 NTT Device Technology Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 美濃谷 直志 / Tadashi Minotani |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTテレコン NTT TELECON |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 近藤 利彦 / Toshihiko Kondo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTT先端集積デバイス研究所 NTT Device Technology Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 森村 浩季 / Hiroki Morimura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTT先端集積デバイス研究所 NTT TELECON |
| 発表年月日 | 2014-12-02 |
| 資料番号 | ICD2014-108,CPSY2014-120 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 345 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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