| 講演名 | 2014-12-02 65nmプロセスにおけるアンテナダメージによる経年劣化の測定と評価(学生・若手研究会) 岸田 亮, 大島 梓, 小林 和淑, |
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| 抄録(和) | 近年の集積回路の微細化により,アンテナダメージによる信頼性の低下が懸念されている.本稿では,アンテナダメージによる経年劣化(BTI, Bias Temperature Instability)への影響を評価する.評価回路には発振経路1ヶ所のアンテナ構造を変えたリングオシレータを用いる.アンテナ比5k以下であるアンテナダメージの小さい構造では,NBTI(Negative BTI)への影響はダメージを受ける構造と緩和する構造とで同じであった.アンテナ比50kのアンテナダメージの大きい構造ではNBTIが増加した.アンテナ比50kでもPBTI(Positive BTI)は発生せず,ポリシリコンゲートではPBTIが発生しないことを確認した.バルクとSOTB(Silicon On Thin BOX)でBTIの傾向が同じであることから,SOTBでもアンテナダメージを緩和できる.ダメージを緩和するにはアンテナをドレインにつなげることが有効である. |
| 抄録(英) | Degradations of reliability caused by plasma induced damage (PID) have become a significant concern with miniaturizing a device size. In this paper, we evaluate aging degradation (BTI, Bias Temperature Instability) caused by PID. We fabricate ring oscillators with an antenna structure on a single stage. NBTI (Negative BTI) is almost equivalent between a structure caused by PID and that relieving PID in small PID structures which are less than AR (Antenna Ratio) of 5k. NBTI increases in large PID structures which is AR of 50k. PBTI (Positive BTI) does not occur even in AR of 50k. PBTI does not appear in poly silicon gate. SOTB (Silicon On Thin BOX) can relieve PID because BTI degradation is equivalent between bulk and SOTB. Connecting an antenna to a drain is good approach to relieve PID. |
| キーワード(和) | アンテナダメージ / BTI(Bias Temperature Instability) / SOTB(Silicon On Thin BOX) / リングオシレータ / 発振周波数 / 信頼性 |
| キーワード(英) | PID (Plasma Induced Damage) / BTI (Bias Temperature Instability) / SOTB (Silicon On Thin BOX) / ring oscillator / frequency / reliability |
| 資料番号 | ICD2014-106,CPSY2014-118 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2014/11/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 65nmプロセスにおけるアンテナダメージによる経年劣化の測定と評価(学生・若手研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurements and Evaluations of Aging Degradation Caused by Plasma Induced Damage in 65 nm Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | アンテナダメージ / PID (Plasma Induced Damage) |
| キーワード(2)（和/英） | BTI(Bias Temperature Instability) / BTI (Bias Temperature Instability) |
| キーワード(3)（和/英） | SOTB(Silicon On Thin BOX) / SOTB (Silicon On Thin BOX) |
| キーワード(4)（和/英） | リングオシレータ / ring oscillator |
| キーワード(5)（和/英） | 発振周波数 / frequency |
| キーワード(6)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岸田 亮 / Ryo KISHIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子システム工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大島 梓 / Azusa OSHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子システム工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 和淑 / Kazutoshi KOBAYASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子システム工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2014-12-02 |
| 資料番号 | ICD2014-106,CPSY2014-118 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 345 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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