| 講演名 | 2014-12-01 レベルシフト回路を用いた高線形Gmセルの周波数特性に関する検討(ポスターセッション,学生・若手研究会) 金子 徹, 横溝 真也, 宮原 正也, 松澤 昭, |
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| 抄録(和) | 広帯域無線通信システムで用いる広帯域Gm-Cフィルタには,フリップアラウンド型の高線形Gmセルがよく用いられるが,この回路は入力ダイナミックレンジが狭いという欠点を持つ.これに対し,ソースフォロワによるレベルシフト回路の挿入によって入力ダイナミックレンジを改善する手法が提案されている.しかし,レベルシフト回路を挿入した高線形Gmセルは,フィードバックループ内部に2つの極を持ち,高周波においてピーキングを持つという問題が有る.そこで本研究は,ソースフォロワと並列に容量を挿入する手法について検討を行う.この手法では挿入した容量が高周波の信号を通すことで,レベルシフト回路の周波数特性の影響を緩和し,ピーキングを抑制する.更にソースフォロワの消費電力を小さく設定でき,省電力かつ広帯域なGmセルが実現できる.CMOS 65nmプロセスで行ったシミュレーション結果では,3dB以上あったピーキングが500fFの容量挿入によって0.25dBまで減衰し,30GHzの広帯域を実現した. |
| 抄録(英) | High speed Gm-C filter requires high speed and high linearity Gm-cell like a flipped voltage follower; however it has poor input dynamic range. This issue can be resolved by a level shifter, but it suffers peaking at high frequency. To reduce peaking, a compensation technique using a capacitance is investigated. The capacitance is inserted in parallel with the level shifter to pass frequencies exceeding the bandwidth of the level shifter. This suppresses the influence of the level shifter on the frequency response of the circuit, so that the peaking is decreased. According to the simulation results, the peaking is reduced from 3dB to 0.25dB by inserting 500fF capacitance and the bandwidth achieves about 30 GHz. |
| キーワード(和) | 広帯域 / Gmセル / 高線形 / Gm-Cフィルタ |
| キーワード(英) | Wideband / Gm-Cell / High Linearity / Gm-C Filter |
| 資料番号 | ICD2014-96,CPSY2014-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2014/11/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レベルシフト回路を用いた高線形Gmセルの周波数特性に関する検討(ポスターセッション,学生・若手研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of Frequency Characteristic of High Linearity Gm-Cell with Level Shifter |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 広帯域 / Wideband |
| キーワード(2)（和/英） | Gmセル / Gm-Cell |
| キーワード(3)（和/英） | 高線形 / High Linearity |
| キーワード(4)（和/英） | Gm-Cフィルタ / Gm-C Filter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金子 徹 / Tohru KANEKO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 横溝 真也 / Shinya YOKOMIZO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮原 正也 / Masaya MIYAHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松澤 昭 / Akira MATSUZAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2014-12-01 |
| 資料番号 | ICD2014-96,CPSY2014-108 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 345 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |