| 講演名 | 2014-12-01 抵抗変化型メモリ(ReRAM)の書き込み特性の評価(ポスターセッション,学生・若手研究会) 西川 進, 寧 渉洋, 竹内 健, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | ReRAM / 不揮発性メモリ / 書き込みプログラム |
| キーワード(英) | ReRAM / Non-volatile memory / Write program |
| 資料番号 | ICD2014-89,CPSY2014-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2014/11/24(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 抵抗変化型メモリ(ReRAM)の書き込み特性の評価(ポスターセッション,学生・若手研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of ReRAM write characteristics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性メモリ / Non-volatile memory |
| キーワード(3)（和/英） | 書き込みプログラム / Write program |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西川 進 / Shin NISHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部電気電子情報通信工学科 Department of Electrical, Electronic, and Communication Engineering, Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 寧 渉洋 / Sheyang NING |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部電気電子情報通信工学科:東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 Department of Electrical, Electronic, and Communication Engineering, Faculty of Science and Engineering, Chuo University:Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken TAKEUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部電気電子情報通信工学科 Department of Electrical, Electronic, and Communication Engineering, Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
| 発表年月日 | 2014-12-01 |
| 資料番号 | ICD2014-89,CPSY2014-101 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 345 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 53 |
| 発行日 | |