| 講演名 | 2014-12-12 DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) 中村 昇平, 松尾 直人, 部家 彰, 山名 一成, 高田 忠雄, 福山 正隆, 横山 新, |
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| 抄録(和) | DNA(チャネル)/SiO_2/Si(ゲート)構造において,DNAのキャリアの振る舞いを調べた.シリコン基板を使って電極間に120nmのギャップを作り,DNAはギャップの間に作製した.dI_D/dV_Dは0.7Vで極値を示ており,この理由はDNA中のトラップとデトラップが関与していると考える.電子はグアニンにトラップされ,チャネル部における電圧によってデトラップが引き起こされる.p^+Siの場合多数キャリアのホールはDNAチャネル中の電子と再結合し,質量作用の法則により,トレイン電極からチャネルに注入される. |
| 抄録(英) | The carrier behavior in DNA was examined using the DNA channel/SiO_2/Si gate structure, hi this case, electrodes with a gap of 120 nm using a substrate Si was prepared and DNA was fixed between the electrodes. The dI_D/dV_D shows the maximum value at the drain voltage of 0.7 V. This phenomenon relates to the trapped and detrapped electrons in DNA. The electrons were trapped by guanine-base, and they were detrapped by the electric field in the channel. In the case of p^+Si, the holes of majority earners are emitted from the drain electrodes by recombination of electrons and holes in the DNA channel thought the mass action law. |
| キーワード(和) | DNA / FET / Si / トラップ / デトラップ / キャリア / 電荷保持 |
| キーワード(英) | DNA / FET / Si / Trap / Detrap / Carrier / Charge retention property |
| 資料番号 | EID2014-16,SDM2014-111 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2014/12/5(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構(シリコン関連材料の作製と評価及びディスプレイ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Conduction mechanism and Charge retention mechanism for DNA memory transistor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DNA / DNA |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(4)（和/英） | トラップ / Trap |
| キーワード(5)（和/英） | デトラップ / Detrap |
| キーワード(6)（和/英） | キャリア / Carrier |
| キーワード(7)（和/英） | 電荷保持 / Charge retention property |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 昇平 / Shouhei Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学大学院工学研究科 University of Hyogo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / Naoto MATSUO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学大学院工学研究科 University of Hyogo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 部家 彰 / Akira HEYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学大学院工学研究科 University of Hyogo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山名 一成 / Kazushige YAMANA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学大学院工学研究科 University of Hyogo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高田 忠雄 / Tadao TAKADA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学大学院工学研究科 University of Hyogo |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 福山 正隆 / Masataka FUKUYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 横山 新 / Shin YOKOYAMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2014-12-12 |
| 資料番号 | EID2014-16,SDM2014-111 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |