| 講演名 | 2014-12-23 ゲルマニウム結晶のアニール処理によるテラヘルツ波光源の出力向上(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) 中里 祐輔, / 前田 健作, 小山 裕, |
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| 抄録(和) | ゲルマニウム結晶は光励起過程によりテラヘルツ波を発生する半導体の1つである。ゲルマニウム結晶を用いたテラヘルツ波光源は室温動作や小型化が可能であり、高出力化が求められる。ゲルマニウム結晶はある温度以上でアニール処理を行うことで格子欠陥が形成され、アクセプター準位が導入されると考えられている。本研究ではゲルマニウム結晶のアニール処理によるテラヘルツ波光源の出力向上について報告する。 |
| 抄録(英) | Ge crystal is known as THz emitter by photo excitation process. Ge THz emitter can be operated at room temperature and miniaturized. For practical applications, high power THz emission from Ge is required. Point defects are formed in Ge crystals by annealing above certain temperature, which introduce acceptor levels. In this study, we report improvement of THz emission output power from annealed Ge. |
| キーワード(和) | テラヘルツ波発生 / Ge結晶 / アニール処理 / アクセプター準位 |
| キーワード(英) | Terahertz wave emission / Germanium crystal / Annealing process / Acceptor level |
| 資料番号 | ED2014-116 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/12/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲルマニウム結晶のアニール処理によるテラヘルツ波光源の出力向上(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of THz emission output power from annealed Ge |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ波発生 / Terahertz wave emission |
| キーワード(2)（和/英） | Ge結晶 / Germanium crystal |
| キーワード(3)（和/英） | アニール処理 / Annealing process |
| キーワード(4)（和/英） | アクセプター準位 / Acceptor level |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中里 祐輔 / Yusuke NAKASATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科知能デバイス材料学 Department of Materials Science, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / 前田 健作 / Sundararajan Balasekaran |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科知能デバイス材料学 Department of Materials Science, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小山 裕 / Kensaku MAEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科知能デバイス材料学 Department of Materials Science, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2014-12-23 |
| 資料番号 | ED2014-116 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 387 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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