| 講演名 | 2014-12-23 蒸気圧制御温度差液相成長法によるTHz発生用GaSe結晶の成長とその評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) 鈴木 康平, 長井 悠輝, 山本 邦彦, 佐藤 陽平, 前田 健作, 斉藤 恭介, 小山 裕, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | GaSe結晶は高い複屈折性(n_o=2.9082,n_e=2.5676 @1.06μm)、広い透過波長領域(0.6～20μm)、そして大きな非線形光学定数(d_<22>=54pm/V)を持ち合わせている。この特性により、同軸位相整合にて差周波混合し、高効率なTHz波を発生させることができる。従来のGaSe結晶成長法であるBridgman法では、熱平衡点欠陥の導入と、Se乖離によるノンストイキオメトリ組成のためTHz波発生効率の低下が問題となる。そこで本研究では蒸気圧制御温度差液相成長法により、GaSe結晶を成長した。さらに同成長法にて、自由キャリア吸収の抑制を目的とした遷移金属Feを添加したGaSe結晶の成長を行った。成長した結晶は、ホール係数測定、THz波発生特性、透過スペクトル等についてBridgman法により成長した市販GaSe結晶との比較を行ったので報告する。 |
| 抄録(英) | GaSe crystals have high birefringence(n_o=2.9082, n_e=2.5676 @1.06μm), wide transparency(0.6～20μm), and large nonlinear optical coefficient (d_<22> = 54 pm/V). For these superior properties, these crystals can generate high efficiency THz wave via difference frequency generation under collinear phase matching. THz generation efficiency of conventional Bridgman-grown GaSe crystals were decreased by thermal equilibrium point defects and non-stoichiometric composition. In this study, GaSe crystals for the THz wave generation were grown by the liquid phase epitaxy under controlled vapor pressure. Furthermore Fe-doped GaSe crystals for the purpose of prevention of free carrier absorption were grown by the same growth method. These crystals were evaluated by in comparison with the commercially available Bridgman grown crystals. |
| キーワード(和) | GaSe / THz波 / 差周波発生 / 不純物添加 |
| キーワード(英) | GaSe / THz wave / Different frequency generation / Impurity doping |
| 資料番号 | ED2014-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2014/12/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 蒸気圧制御温度差液相成長法によるTHz発生用GaSe結晶の成長とその評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal growth of GaSe crystals for the THz generation by liquid phase epitaxy TDM-CVP and evaluation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaSe / GaSe |
| キーワード(2)（和/英） | THz波 / THz wave |
| キーワード(3)（和/英） | 差周波発生 / Different frequency generation |
| キーワード(4)（和/英） | 不純物添加 / Impurity doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 康平 / Kouhei Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科 Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長井 悠輝 / Yuki Nagai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科 Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山本 邦彦 / Kunihiko Yamamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科 Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐藤 陽平 / Yohei Sato |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科 Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 前田 健作 / Kensaku Maeda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科 Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 斉藤 恭介 / Kyosuke Saito |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科 Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 小山 裕 / Yutaka Oyama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科 Tohoku University |
| 発表年月日 | 2014-12-23 |
| 資料番号 | ED2014-115 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 387 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |