| 講演名 | 2014-12-23 モジュレーションバリアAlGaAs/GaAs量子カスケードレーザの3.7THz発振(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) 林 宗澤, 平山 秀樹, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Recently one more design freedom of change the barriers height in THz QCLs is expected to improve device performance and combine different kind of advantage design simultaneously. Our aim is to achieve the thermoelectric cooling temperature operation THz QCLs combine with high Al composition structure with variable well-barrier height design. Here we present a primary experiment results by first arrange the recently recorded 3-wells resonant tunneling structure design with the reducing of the emission barrier height and adding an external thin barrier near the extraction barrier in the extraction/injection well. This modulation barrier THz QCLs succeeds lasing at 3.7 THz with the maximum operation temperature up to 112 K. |
| キーワード(和) | テラヘルツ / 量子カスケードレーザー |
| キーワード(英) | Terahertz / Quantum Cascade Laser |
| 資料番号 | ED2014-111 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/12/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | モジュレーションバリアAlGaAs/GaAs量子カスケードレーザの3.7THz発振(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modulation barrier AlGaAs/GaAs quantum cascade laser operating at 3.7 THz |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ / Terahertz |
| キーワード(2)（和/英） | 量子カスケードレーザー / Quantum Cascade Laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 林 宗澤 / Tsung-Tse LIN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 理研仙台テラヘルツ量子素子研究チーム Terahertz Quantum Device Laboratory, RIKEN Sendai |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平山 秀樹 / Hideki HIRAYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 理研仙台テラヘルツ量子素子研究チーム Terahertz Quantum Device Laboratory, RIKEN Sendai |
| 発表年月日 | 2014-12-23 |
| 資料番号 | ED2014-111 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 387 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |