| 講演名 | 2014-12-23 GaAsSbトンネルダイオードのドーピング制御による170GHzミリ波感度の向上(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) 高橋 剛, 佐藤 優, 中舍 安宏, 芝 祥一, 原 直紀, 岩井 大介, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 高感度のミリ波受信用デバイスとして、GaAsSbを用いたヘテロ接合型トンネルダイオードの一種であるバックワードダイオードを開発した。InPに格子整合したp-GaAsSbとn-InGaAsで構成されるこのダイオードはゼロバイアスおよび室温で動作し、従来のショットキーダイオードより高い検波特性を持つことが特徴である。ダイオードのドーピング濃度を最適化することで、ショットキーダイオードの理論限界を超える非線形特性、94GHzで20,000V/Wの高い検波感度を達成した。さらに、接合容量を抑制した構造を用い、170GHzで2,200V/Wの検波感度を得た。このダイオードとInP HEMT低雑音増幅器を組み合わせることで、極めて高い感度のミリ波受信器を実現できる可能性を持つ。 |
| 抄録(英) | Highly sensitive GaAsSb-based backward diodes were developed for millimeter-wave detection. The diodes consisted of p-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAs heterojunction layers which were lattice matched to InP substrate. They can operate at room temperature and zero-bias condition. We achieved large sensitivity of 20,000 V/W was obtained at 94 GHz when doping concentration in the backward diodes was optimized. Furthermore, sensitivity over 2,000 V/W was obtained at 170 GHz by adopting planar doping in the n-InGaAs layer. We believe that extremely sensitive millimeter-wave receiver could be realized by integrating the backward diodes with InP-based HEMTs. |
| キーワード(和) | トンネルダイオード / バックワード / ミリ波 / 非線形 / GaAsSb / ゼロバイアス / 検波 / 感度 |
| キーワード(英) | Tunnel diode / Backward / Millimeter wave / Nonlinearity / GaAsSb / Zero bias / Detection / Sensitivity |
| 資料番号 | ED2014-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2014/12/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAsSbトンネルダイオードのドーピング制御による170GHzミリ波感度の向上(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement in sensitivity at 170 GHz of GaAsSb-based tunnel diodes by adjusting doping concentration |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルダイオード / Tunnel diode |
| キーワード(2)（和/英） | バックワード / Backward |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / Millimeter wave |
| キーワード(4)（和/英） | 非線形 / Nonlinearity |
| キーワード(5)（和/英） | GaAsSb / GaAsSb |
| キーワード(6)（和/英） | ゼロバイアス / Zero bias |
| キーワード(7)（和/英） | 検波 / Detection |
| キーワード(8)（和/英） | 感度 / Sensitivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 剛 / Tsuyoshi TAKAHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株) Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Limited |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 優 / Masaru SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株) Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中舍 安宏 / Yasuhiro NAKASHA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株) Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Limited |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 芝 祥一 / Shoichi SHIBA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株) Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Limited |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki HARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株) Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Limited |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岩井 大介 / Taisuke IWAI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2014-12-23 |
| 資料番号 | ED2014-108 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 387 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |