| 講演名 | 2014-12-22 90GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの出力特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) 渡邊 一世, 遠藤 聡, 笠松 章史, 三村 高志, |
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| 抄録(和) | InGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は,高速・高周波・低雑音特性に優れるだけでなく,ミリ波帯(30～300GHz)及びサブミリ波帯(300GHz～3THz)で動作可能で,将来の超高速無線通信や未利用周波数資源の開拓に必要不可欠な電子デバイスである.今回,同一バイアス条件にて電流利得遮断周波数(f_T)520GHz及び周波数90GHzにおいて最小雑音指数(NF_ |
| 抄録(英) | InGaAs/InAlAs high electron mobility transistors (HEMTs) are the most promising electron devices not only for future ultra-high-speed wireless communications but also expansion of radio spectrum resources in millimeter- (30-300 GHz) and sub-millimeter-wave (300 GHz-3 THz) frequency bands; this is because these HEMTs can demonstrate a high current-gain cutoff frequency (f_T) and a low minimum noise figure (NF_ |
| キーワード(和) | InGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ(HEMT) / 出力特性 / 飽和出力 / 電力付加効率(PAE) |
| キーワード(英) | InGaAs/InAlAs HEMT / output power performance / saturation power / power added efficiency (PAE) |
| 資料番号 | ED2014-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/12/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 90GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの出力特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Output power performance of InGaAs/InAlAs HEMT at 90-GHz band |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ(HEMT) / InGaAs/InAlAs HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 出力特性 / output power performance |
| キーワード(3)（和/英） | 飽和出力 / saturation power |
| キーワード(4)（和/英） | 電力付加効率(PAE) / power added efficiency (PAE) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邊 一世 / Issei WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構 National Institute of Info. & Com. Tech. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 遠藤 聡 / Akira ENDOH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構:株式会社富士通研究所 National Institute of Info. & Com. Tech.:Fujitsu Laboratories Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 笠松 章史 / Akifumi KASAMATSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構 National Institute of Info. & Com. Tech. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三村 高志 / Takashi MIMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構:株式会社富士通研究所 National Institute of Info. & Com. Tech.:Fujitsu Laboratories Limited |
| 発表年月日 | 2014-12-22 |
| 資料番号 | ED2014-101 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 387 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |