| 講演名 | 2014-12-22 InGaAsチャネルHEMT及びグラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) 川崎 鉄哉, 吉田 智洋, 菅原 健太, / 渡辺 隆之, 杉山 弘樹, 若生 洋由希, 可児 淳一, 寺田 純, 桑野 茂, 吾郷 浩樹, 河原 憲冶, 岩月 勝美, 末光 哲也, 尾辻 泰一, |
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| 抄録(和) | InGaAsチャネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)、及びグラフェンチャネルFETを用いて、差周波12.5～37.5GHzの赤外二光波混合光の照射に対する光起電力スペクトルを観測した。InGaAsチャネルHEMTを用いたフォトミキシングでは、閾値電圧付近で最大の光応答が得られた。グラフェンチャネルFETを用いた場合では、電流遮断周波数2GHzという乏しい高周波特性にも関わらず、フォトミキシング機能を有することが確認できた。 |
| 抄録(英) | We experimentally investigated the photomixing function in the millimeter wave range by using InGaAs channel high electron mobility transistors (HEMTs) and graphene channel field effect transistors (FETs) which we fabricated. The dual comb IR laser beam having differential frequency 12.5, 25.0 or 37.5 GHz was introduced to the channel area from the backside of the device and we measured the photoresponse spectrum of the downconverted output. The maximum photoresponse of the InGaAs channel HEMT was obtained at the threshold voltage. We also obtained the photoresponse of the graphene channel FET in spite of its poor current-gain cutoff frequency of 2GHz. |
| キーワード(和) | InGaAsチャネルHEMT / グラフェンチャネルFET / フォトミキシング |
| キーワード(英) | InGaAs channel HEMT / Graphene channel FET / Photomixing |
| 資料番号 | ED2014-100 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/12/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaAsチャネルHEMT及びグラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Millimeterwave-photomixing by InGaAs channel HEMTs and graphene channel FETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAsチャネルHEMT / InGaAs channel HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | グラフェンチャネルFET / Graphene channel FET |
| キーワード(3)（和/英） | フォトミキシング / Photomixing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川崎 鉄哉 / Tetsuya Kawasaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 智洋 / Tomohiro Yoshida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 菅原 健太 / Kenta Sugawara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | / 渡辺 隆之 / Adrian Dobroiu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 杉山 弘樹 / Takayuki Watanabe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku Univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 若生 洋由希 / Hiroki Sugiyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku Univ. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 可児 淳一 / Hiroyuki Wako |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku Univ. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 寺田 純 / Jun-ichi Kani |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所 NTT Access Network Service Systems Labs., NTT Corp. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 桑野 茂 / Jun Terada |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所 NTT Access Network Service Systems Labs., NTT Corp. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 吾郷 浩樹 / Shigeru Kuwano |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所 NTT Access Network Service Systems Labs., NTT Corp. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 河原 憲冶 / Hiroki Ago |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 九州大学先導物質化学研究所 IMCE, Kyushu Univ. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 岩月 勝美 / Kenji Kawahara |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 九州大学先導物質化学研究所 IMCE, Kyushu Univ. |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 末光 哲也 / Katsumi Iwatsuki |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信機構 ROEC, Tohoku Univ. |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 尾辻 泰一 / Tetsuya Suemitsu |
| 第 14 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 RIEC, Tohoku Univ. |
| 発表年月日 | 2014-12-22 |
| 資料番号 | ED2014-100 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 387 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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