| 講演名 | 2014-11-21 DDSを基準信号源としたFractional-N PLLにおけるスプリアス抑圧手法(一般) 樋口 和英, 水谷 浩之, 田島 賢一, 檜枝 護重, |
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| 抄録(和) | Fractional-N PLLは,ΔΣ変調器と整数分周器を組み合わせて動作する分数分周器により,位相比較周波数を維持したまま周波数分解能を高めることができる.しかし,位相比較周波数の半分の整数倍における出力周波数近傍において整数境界スプリアスが発生するため,広帯域に低スプリアス特性を得ることは困難であった.本報告ではDDSをFractional-N PLLの基準信号源とし適切な周波数に設定することで,DDSとFractional-N PLLのスプリアスをPLLのループ帯域外に配置させて,スプリアスを抑圧する手法について述べる. |
| 抄録(英) | A Fractional-N PLL can generate high resolution frequency signals with the combination of ΔΣ modulator and integer-N frequency divider. However, it generates integer boundary spurs in harmonics of half of reference frequency, and it is difficult to realize low spurious property under wideband frequency outputs. This paper proposes a spurious suppression method by using DDS as reference signal of fractional-N PLL and allocating spurious frequency in cutoff frequency. |
| キーワード(和) | Fractional-N PLL / DDS / スプリアス |
| キーワード(英) | Fractional-N PLL / DDS / Spurs |
| 資料番号 | MW2014-145 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2014/11/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | DDSを基準信号源としたFractional-N PLLにおけるスプリアス抑圧手法(一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Spurious Suppression Method with DDS driven Fractional-N PLL |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Fractional-N PLL / Fractional-N PLL |
| キーワード(2)（和/英） | DDS / DDS |
| キーワード(3)（和/英） | スプリアス / Spurs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 樋口 和英 / Kazuhide HIGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 水谷 浩之 / Hiroyuki MIZUTANI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田島 賢一 / Kenichi Tajima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 檜枝 護重 / Morishige HIEDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2014-11-21 |
| 資料番号 | MW2014-145 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 318 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |