| 講演名 | 2014-11-28 GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) 岡田 俊祐, 三宅 秀人, 平松 和政, 宮川 鈴衣奈, 江龍 修, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | 極性面である(0001)面及び非極性面である(10-10)面や(20-21)面,(20-2-1)面を主面とするGaN自立基板に対して800℃から1100℃まで温度を変化させてサーマルクリーニングを行い,表面状態の変化を明らかにした.(0001)面において,表面の研磨傷はサーマルクリーニングの温度上昇に伴って減少し, 1000℃において研磨傷が消失しステップ構造を有する表面が得られた.しかし1100℃では表面の脱離が生じ大きな表面荒れを生じた.一方,非極性面については面方位によってサーマルクリーニング後の表面状態は大きく異なり, (20-21)面では温度上昇に伴い表面平坦性が大きく悪化した. |
| 抄録(英) | Thermal cleaning at high temperature from 800℃ to 1100℃ of free-standing polar (0001) plane and non-polar (10-10) (20-21) (20-2-1) plane GaN substrates was demonstrated, and the change of surface morphologies were shown. In the case of polar (0001) plane, polishing scratches on the surface decreased with increased thermal cleaning temperature, and atomic step was appeared at 1000℃. At 1100℃, desorption of surface occurred and surface morphologies became rough. In the case of non-polar GaN substrates, surface morphologies after thermal cleaning were markedly different based on orientation of surface. Surface roughness of (20-21) plane GaN drastically deteriorated with increasing thermal cleaning temperature. |
| キーワード(和) | GaN / サーマルクリーニング / 自立基板 |
| キーワード(英) | GaN / thermal cleaning / free-standing substrate |
| 資料番号 | ED2014-96,CPM2014-153,LQE2014-124 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of thermal cleaning on surface of bulk GaN substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | サーマルクリーニング / thermal cleaning |
| キーワード(3)（和/英） | 自立基板 / free-standing substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡田 俊祐 / S. OKADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学 Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / H. MIYAKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学 Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / K. HIRAMATSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学 Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮川 鈴衣奈 / R. MIYAGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 江龍 修 / O. ERYU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / T. HASHIZUME |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 北海道大学 Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2014-11-28 |
| 資料番号 | ED2014-96,CPM2014-153,LQE2014-124 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |