| 講演名 | 2014-11-28 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) 藤田 周, 三好 実人, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | InAlN/AlGaNヘテロ構造は、高耐圧特性と高濃度の二次元電子ガス(2DEG)生成という二つの特長を併せ持つことが期待できる。本研究では、有機金属気相成長法(MOCVD法)を用いた格子整合系InAlN/AlGaNヘテロ構造の結晶成長と特性評価を行った。チャネル層組成をAl_<0.1>Ga_<0.9>N、Al_<0.2>Ga_<0.8>Nの2水準として試料作製を行ったところ、いずれにおいてもほぼ格子整合系となるヘテロ構造が作成できた。また、成長した試料について電気特性を評価したとこと、3×10^<13>/cm^2に達する程の非常に高い2DEG濃度を有することが示された。ヘテロ構造内の分極電荷を計算したところ、実測2DEG濃度と近い値が得られており、この2DEG濃度がInAlN障壁層の高い自発分極電荷によるものと示唆された。 |
| 抄録(英) | InAlN/AlGaN two-dimensional-electron gas (2DEG) heterostructures are expected to be able to show extremely high breakdown voltages as well as high 2DEG densities. In this study, we attempted to grow lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructures by metalorganic chemical deposition (MOCVD) and to characterize them. Samples with the channel layers of Al_<0.1>Ga_<0.9>N of Al_<0.2>Ga_<0.8>N were successfully grown with nearly-lattice-matched structures. Their 2DEG densities were measured to be as high as 3×10^<13>/cm^2. It was confirmed that such high 2DEG densities are explained as a result of their high spontaneous polarization in InAlN barrier layers. |
| キーワード(和) | InAlN/AlGaNヘテロ構造 / MOCVD / 2次元電子ガス |
| キーワード(英) | InAlN/AlGaN heterostructures / MOCVD / two-dimensional-electron gas |
| 資料番号 | ED2014-93,CPM2014-150,LQE2014-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOCVD growth and characterization of nearly-lattice-matched InAlN/AlGaN 2DEG heterostructures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAlN/AlGaNヘテロ構造 / InAlN/AlGaN heterostructures |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | 2次元電子ガス / two-dimensional-electron gas |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤田 周 / Shu FUJITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto MIYOSHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2014-11-28 |
| 資料番号 | ED2014-93,CPM2014-150,LQE2014-121 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |