| 講演名 | 2014-11-28 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の熱劣化機構の2次元評価(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) 塩島 謙次, 山本 晋吾, 木原 雄平, |
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| 抄録(和) | 金属/半導体界面の電気的特性を二次元評価できる界面顕微光応答法を開発し、Au/Ni/n-GaNショットキー接触の熱劣化過程の評価を行った。400℃のアニールにより、I-V特性において漏れ電流が増加した。波長517nmの界面顕微光応答測定では、部分的に光電流が増加した領域がアニール後に現れた。異なる波長で測定を行い、ショットキー障壁高さを求めた結果、これらの領域で障壁高さの減少がみられた。金属顕微鏡像においても、対応したパターンが観察された。界面反応が部分的に起こり、低障壁層が形成されたと考えられる。本手法が電極熱劣化の初期過程を非破壊で評価できることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | We have developed a new mapping technique, scanning internal-photoemission microscopy, to characterize the electrical inhomogeneity of metal-semiconductor interfaces. We characterized the initial stage of thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky contacts. We found that, upon 400℃ annealing, a partial thermal degradation occurred from a scratch on the dot, where Au atoms diffused to the interface and reacted with GaN. It was confirmed that this method is a powerful tool to map metal contacts for the investigations of partial thermal degradation, formation of parallel contacts, and inhomogeneity of surface chemistry. |
| キーワード(和) | ショットキー接触 / 界面顕微光応答法 / GaN / 熱劣化 |
| キーワード(英) | Schottky contacts / Scanning internal photoemission microscopy / GaN / Thermal degradation |
| 資料番号 | ED2014-91,CPM2014-148,LQE2014-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の熱劣化機構の2次元評価(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mapping of thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contacts |
| キーワード(2)（和/英） | 界面顕微光応答法 / Scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | 熱劣化 / Thermal degradation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji SHIOJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 Graduate School of Electrical and Electronics Engineering University of Fukui |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 晋吾 / Shingo YAMAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 Graduate School of Electrical and Electronics Engineering University of Fukui |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木原 雄平 / Yuhei KIHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 Graduate School of Electrical and Electronics Engineering University of Fukui |
| 発表年月日 | 2014-11-28 |
| 資料番号 | ED2014-91,CPM2014-148,LQE2014-119 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |