| 講演名 | 2014-11-27 ナノインプリントリソグラフィを用いたナノチャネルFIELO法により作製されたGaNテンプレートの2次元歪みマッピング(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) 南部 優賢, 山口 敦史, 後藤 裕輝, 砂川 晴夫, 松枝 敏晴, 岡田 愛姫子, 篠原 秀敏, 後藤 博史, 水野 潤, 碓井 彰, |
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| 抄録(和) | 白色LEDにおいて大電流領域で効率が低下する現象(Droop現象)を抑制する1つの手法として,下地のGaN膜(基板)の高品質化が提案されている.このような高品質GaN膜を低コストに実現する方法として,ナノチャネルファセット形成ELO (nano-FIELO)法が開発されている.本研究では,このnano-FIELO GaN膜の品質評価の1つとして,極低温顕微反射分光法を用いて,歪みの2次元マッピング測定を行った.この方法では,反射スペクトルから得られる励起子エネルギーが歪みに対して敏感にシフトすることを利用して, 0.01%程度の微小歪みまでミクロンスケールの空間分解能で測定することが可能である.この歪みマッピングにより, nano-FIELO GaN膜ではミクロンスケールの歪み空間分布が生じ得ることがわかった.そして,この歪み分布はファセットの合体に起因しており,選択成長マスクのパターン形状によって抑制可能であることがわかった. |
| 抄録(英) | The efficiency droop phenomenon is a big problem for high-brightness white LEDs. It has been pointed out that the problem could be solved by the reduction of threading dislocation density in underlying GaN films (templates or substrates). Nano-channel facet-initiated epitaxial lateral overgrowth (nano-FIELO) technique has been developed as a low-cost fabrication method of such high-quality GaN templates. In this study, we performed two-dimentional strain mapping for the nano-FIELO GaN templates by low-temperature micro-reflectance spectroscopy, which can measure strain spatial distribution with high sensitivity and spatial resolution. It is found that micrometer-scale strain spatial distribution can be generated in nano-FIELO GaN surfaces and that the strain distribution can be reduced by optimizing the pattern structure of SiO_2 masks used for the selective growth. |
| キーワード(和) | GaN / 歪み / マッピング / 反射スペクトル / ナノインプリントリソラグラフィ / 選択成長 |
| キーワード(英) | GaN / Strain / Mapping / Reflectance spectra / Nanoimprint lithography / Selective growth |
| 資料番号 | ED2014-80,CPM2014-137,LQE2014-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/11/20(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ナノインプリントリソグラフィを用いたナノチャネルFIELO法により作製されたGaNテンプレートの2次元歪みマッピング(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-Dimensional Strain Mapping of GaN Templates Fabricated by Nano-Channel FIELO Method Using Nanoimprint Lithography |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 歪み / Strain |
| キーワード(3)（和/英） | マッピング / Mapping |
| キーワード(4)（和/英） | 反射スペクトル / Reflectance spectra |
| キーワード(5)（和/英） | ナノインプリントリソラグラフィ / Nanoimprint lithography |
| キーワード(6)（和/英） | 選択成長 / Selective growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 南部 優賢 / M. Nambu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター Kanazawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / A. A. Yamaguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター Kanazawa Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 後藤 裕輝 / H. Goto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社ナイトライド事業室 Nitride Semiconductor Department, Furukawa Co. Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 砂川 晴夫 / H. Sunakawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社ナイトライド事業室 Nitride Semiconductor Department, Furukawa Co. Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松枝 敏晴 / T. Matsueda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社ナイトライド事業室 Nitride Semiconductor Department, Furukawa Co. Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岡田 愛姫子 / A. Okada |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 早稲田大学ナノ理工学研究機構 Institute for Nanoscience and Nanotechnology, Waseda Univ. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 篠原 秀敏 / H. Shinohara |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東芝機械株式会社ナノ加工システム営業部 Nano-Processing System Division, Toshiba Machine Co. Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 後藤 博史 / H. Goto |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東芝機械株式会社ナノ加工システム営業部 Nano-Processing System Division, Toshiba Machine Co. Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 水野 潤 / J. Mizuno |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 早稲田大学ナノ理工学研究機構 Institute for Nanoscience and Nanotechnology, Waseda Univ. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 碓井 彰 / A. Usui |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社ナイトライド事業室 Nitride Semiconductor Department, Furukawa Co. Ltd. |
| 発表年月日 | 2014-11-27 |
| 資料番号 | ED2014-80,CPM2014-137,LQE2014-108 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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