| 講演名 | 2014-11-27 m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) 栗原 香, 長尾 哲, 山口 敦史, |
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| 抄録(和) | m面GaN基板上のInGaN量子井戸構造は,非極性の特徴を生かした高効率発光デバイスへの応用が期待されているが,従来紫波長から長波化すると光出力が急激に低下するという問題があった.また、同じ波長域で発光スペクトルがダブルピーク化することに着目し,その原因を調査したが,偏光分離PL測定からは価電子帯分離起因とは考えにくいことが分かった.ダブルピークの真の原因は現状不明であるが,長波側の発光成分を抑制してシングルピーク化することで,発光効率が向上する. |
| 抄録(英) | We have investigated the optical characteristics of InGaN QWs on m-plane GaN substrates in order to understand the reasons behind the emission intensity dependence on the wavelength and the irregular emission spectrum shape. The emission intensity from m-plane InGaN-QWs decreases and the emission spectra show the overlapping characteristics when the wavelength is longer than 410nm. InGaN-QW structures were grown on the self-standing m-plane GaN substrates by MOCVD and inspected using polarized PL measurements. However valence band split in the band structure was not to be related to the overlapping spectrum. By suppression of the spectrum which have lower energy, light output efficiency increases and wavelength shift was eliminated. |
| キーワード(和) | InGaN / m面 / 非極性 / 偏光 / 価電子帯分裂 |
| キーワード(英) | InGaN / m-plane / nonpolar / polarization / valence band splitting |
| 資料番号 | ED2014-77,CPM2014-134,LQE2014-105 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Emission characteristics of InGaN-MQW structures on m-plane GaN substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | m面 / m-plane |
| キーワード(3)（和/英） | 非極性 / nonpolar |
| キーワード(4)（和/英） | 偏光 / polarization |
| キーワード(5)（和/英） | 価電子帯分裂 / valence band splitting |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 栗原 香 / Kaori KURIHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱化学株式会社 Gallium Nitride department, Mitsubishi Chemical Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長尾 哲 / Satoru NAGAO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱化学株式会社 Gallium Nitride department, Mitsubishi Chemical Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / Atsushi A. YAMAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 Optoelectronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2014-11-27 |
| 資料番号 | ED2014-77,CPM2014-134,LQE2014-105 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |