| 講演名 | 2014-11-27 MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) 児玉 和樹, / 野村 裕之, 重川 直輝, 山本 〓勇, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | 本論文では, AlN/Si(111),α-Al_2O_3(0001), GaN/α-Al_2O_3(0001)基板上に成長温度570～750℃でMOVPE成長したInGaN (In組成0.2～0.4)の相分離現象について検討した.相分離はInGaN膜厚がある臨界値を越えると生じることを見出すとともに,この臨界膜厚がInGaN膜の成長温度の低下とともに顕著に増大することを見出した.例えば,成長温度750℃では臨界膜厚が0.2μmであるのに対し,成長温度570℃では≳1μmである.成長膜の断面SEM観察およびSIMS測定から,相分離は基板界面近傍ではなく膜の中央もしくは表面側から発生すること,さらにその部分にはIn/Ga原子比の変動の大きい部分が存在することを明らかにした. |
| 抄録(英) | This paper reports phase separation in thick (～1 μm) MOVPE In_xGa_<1-x>N (x=0.2～0.4) films grown by MOVPE at 570-750℃ on AlN/Si(111), α-Al_2O_3(0001) and GaN/α-Al_2O_3(0001) substrates. Phase separation occurs when InGaN thickness exceeds a critical value. Critical thickness of phase separation is markedly increased with decreasing growth temperature. It is around 0.2μm for a film grown at 750℃, while it is more than 1μm for that grown at 570℃. No substrate dependencies are found in critical thickness. The cross-sectional SEM views of grown films show that phase separation is initiated at the middle part of an InGaN film and extended to the area near the substrate. SIMS analysis shows a possibility that phase separation is initiated at a part with a relatively large In/Ga ratio fluctuations in InGaN films. |
| キーワード(和) | InGaN / MOVPE / 相分離 / 臨界膜厚 |
| キーワード(英) | InGaN / MOVPE / phase separation / critical thickness |
| 資料番号 | ED2014-75,CPM2014-132,LQE2014-103 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/11/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Critical thickness for phase separation in MOVPE-grown thick InGaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | 相分離 / phase separation |
| キーワード(4)（和/英） | 臨界膜厚 / critical thickness |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 児玉 和樹 / K. KODAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学 University of Fukui |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / 野村 裕之 / Md Tanvir HASAN |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学:JST-CREST University of Fukui:JST-CREST |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / H. NOMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学:JST-CREST University of Fukui:JST-CREST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 〓勇 / N. SHIGEKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学 Osaka City University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / A. YAMAMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 福井大学:JST-CREST University of Fukui:JST-CREST |
| 発表年月日 | 2014-11-27 |
| 資料番号 | ED2014-75,CPM2014-132,LQE2014-103 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |