| 講演名 | 2014-11-27 格子整合系ScAlMgO_4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) 尾崎 拓也, 船戸 充, 川上 養一, |
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| 抄録(和) | ScAlMgO_4(SCAM)基板上のGaN系窒化物半導体の有機金属気相成長に関して述べる. SCAMは斜方晶の結晶で,六回対称性を持つ(0001)面をGaN系半導体の結晶成長に利用する場合, GaNとの格子不整合は1.8%であり, In組成17%のInGaNと格子整合する.このことから,格子整合InGaN/SCAMテンプレート上に高In組成InGaN/InGaNヘテロ構造を作製することが原理的には可能であり,長波長光デバイスへの展開が期待される.本稿では, SCAM基板上GaNがサファイア上GaNと同等以上の特性を持ち,さらに格子整合した無歪InGaNが有機金属気相成長できることを実験的に示した結果を報告する. |
| 抄録(英) | Metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaN-based materials on ScAlMgO_4 (SCAM) substrates is demonstrated. SCAM has a rhombohedral structure with a six-fold symmetric (0001) plane. When nitride semiconductors are grown on the SCAM (0001) plane, GaN experiences a lattice mismatch as small as 1.8%, while InGaN with an In composition of 17% realizes the lattice matching. Therefore, a novel template of lattice-matched InGaN/SCAM is available for InGaN/InGaN heterostructures with higher In compositions, which will pave the way toward longer-wavelength optical devices. In this paper, we experimentally demonstrate that GaN on SCAM has qualities comparable to or even better than those of conventional GaN on sapphire, and unstrained, lattice-matched InGaN can be grown on SCAM by MOVPE. |
| キーワード(和) | ScAlMgO_4 / 窒化物半導体 / 格子整合 / 有機金属気相成長 |
| キーワード(英) | ScAlMgO_4 / nitride semiconductor / lattice matching / metalorganic vapor phase epitaxy |
| 資料番号 | ED2014-74,CPM2014-131,LQE2014-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/11/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 格子整合系ScAlMgO_4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal growth of GaN-based nitride semiconductors on lattice-matched ScAlMgO_4 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ScAlMgO_4 / ScAlMgO_4 |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化物半導体 / nitride semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 格子整合 / lattice matching |
| キーワード(4)（和/英） | 有機金属気相成長 / metalorganic vapor phase epitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 尾崎 拓也 / Takuya OZAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 船戸 充 / Mitsuru FUNATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川上 養一 / Yoichi KAWAKAMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2014-11-27 |
| 資料番号 | ED2014-74,CPM2014-131,LQE2014-102 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |