講演名 2014-11-26
リコンフィギャラブルアーキテクチャのためのバックゲートバイアス印加時間解析(リコンフィギャラブルシステムアーキテクチャ,デザインガイア2014-VLSI設計の新しい大地-)
奥原 颯, 天野 英晴,
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抄録(和) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)により開発された、超薄buried oxide(Thin BOX)を用いた完全空乏型SOI、Silicon on thin BOX(SOTB)MOSFETを用いて、バックゲートバイアスをオフチップで印加する際の時間的オーバーヘッドを実験により明らかにした。測定に使用したチップは我々が開発したアクセラレータCool Mega Array(CMA)及び、マイコンコアV850E-Starである。我々の行った測定により、CMAのバックゲートバイアスの印加に要する時間は最大で183.0μsであることが分かった。また、V850E-Starでは最大で270.2μsの時間を要する。これらの時間を想定して、バックゲートバイアスを適応的に変化させることで、リコンフィギャラブルにプロセッサの周波数向上やリーグ電流削減を行う事が出来る。
抄録(英) The response time of the dynamic back gate bias scaling of large scale digital modules implemented with silicon on thin BOX (SOTB) technology developed by LEAP was analyzed using real chips. A reconfigurable accelerator cool mega array (CMA) and two different prototypes of microcontroller V850 E-star were utilized for measurement. Evaluation results revealed that the response time is related to the chip area which shares the bias voltage rather than the leakage current itself. The leakage current can be mostly stable after 180.0us and 270.2us after changing bias voltage of CMA and V850E-Star, respectively. The possibility of the dynamic back gate bias scaling within milliseconds for dynamic reconfigurable architectures was shown.
キーワード(和) 動的バックゲートバイアス制御 / 低電力設計
キーワード(英) Dynamic back gate bias scaling / Low power design
資料番号 RECONF2014-36
発行日

研究会情報
研究会 RECONF
開催期間 2014/11/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Reconfigurable Systems (RECONF)
本文の言語 JPN
タイトル(和) リコンフィギャラブルアーキテクチャのためのバックゲートバイアス印加時間解析(リコンフィギャラブルシステムアーキテクチャ,デザインガイア2014-VLSI設計の新しい大地-)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Time Analysis of Appling Back Gate Bias for Reconfigurable Architectures
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 動的バックゲートバイアス制御 / Dynamic back gate bias scaling
キーワード(2)(和/英) 低電力設計 / Low power design
第 1 著者 氏名(和/英) 奥原 颯 / Hayate OKUHARA
第 1 著者 所属(和/英) 慶應義塾大学理工学部
Faculty of science and Technology Keio University
第 2 著者 氏名(和/英) 天野 英晴 / Hideharu AMANO
第 2 著者 所属(和/英) 慶應義塾大学理工学部
Faculty of science and Technology Keio University
発表年月日 2014-11-26
資料番号 RECONF2014-36
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 331
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日