| 講演名 | 2014-11-26 65nm薄膜BOX-SOIとバルクプロセスにおけるSETパルス幅の電圧依存性の評価(回路設計手法,デザインガイア2014-VLSI設計の新しい大地-) 曽根崎 詠二, 張 魁元, 古田 潤, 小林 和淑, |
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| 抄録(和) | 近年、プロセスの微細化や高集積化により消費電力の増加が問題になっている。低消費電力の実現には、低電圧化が最も効果的であるが、同時に信頼性の低下を引き起こす。本稿では、デバイスシミュレーションを用いてソフトエラーの原因の一つである放射線起因一過性パルス(Single Event Transient)のパルス幅の電圧依存性をについて評価した。 |
| 抄録(英) | Recently, the growth of power consumption has been serious by process scaling. The lower voltage is most effective to implement reduced energy consumption. But, the lower voltage causes a decrease in reliability. In this study, we evaluate voltage dependence of SET (Single Event Transien) pulses by device simulations. |
| キーワード(和) | ソフトエラー / SOTB / SET / 65nmプロセス / デバイスシミュレーション |
| キーワード(英) | Softerror / SOTB / SET / 65nmprocess / Device simulation |
| 資料番号 | VLD2014-84,DC2014-38 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2014/11/19(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 65nm薄膜BOX-SOIとバルクプロセスにおけるSETパルス幅の電圧依存性の評価(回路設計手法,デザインガイア2014-VLSI設計の新しい大地-) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Voltage Dependence of Single Event Transient Pulses on 65nm Silicon-on-Thin-BOX and Bulk processes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ソフトエラー / Softerror |
| キーワード(2)（和/英） | SOTB / SOTB |
| キーワード(3)（和/英） | SET / SET |
| キーワード(4)（和/英） | 65nmプロセス / 65nmprocess |
| キーワード(5)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 曽根崎 詠二 / Eiji SONEZAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子スシテム工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 張 魁元 / Kuiyuan ZHANG |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子スシテム工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 古田 潤 / Jun FURUTA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子スシテム工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 和淑 / Kazutoshi KOBAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子スシテム工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2014-11-26 |
| 資料番号 | VLD2014-84,DC2014-38 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 328 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |