講演名 | 2014-10-31 フリップチップ接続技術を用いた50Gb/s x 8Ch EADFBレーザアレイ(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) 金澤 慈, 藤澤 剛, 高畑 清人, 三条 広明, 伊賀 龍三, 石井 啓之, |
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抄録(和) | 従来のワイヤ接続と比較して、広帯域かつ、低クロストーク動作が可能となるフリップチップ接続技術適用した、400G用合波器集積8チャネルEADFBレーザアレイモジュールを作製した。本モジュールを用いることで、35GHzまで急激な帯域劣化のないフラットなE/O応答特性を実現し、8チャネル同時動作時でも良好な50Gb/s信号のアイ開口を得ることが出来た。 |
抄録(英) | We developed the first flip-chip interconnection EADFB laser array module for 400G system. The flip-chip interconnection technique yields lower crosstalk and higher modulation bandwidth compared to conventional wire interconnection technique. With flip-chip interconnection module, there was no rapid degradation of the E/O response under 35 GHz. And after 10-km transmission, the clear eye openings for all eight lanes were observed under 8-channel simultaneous operation. |
キーワード(和) | 400ギガビットイーサネット / 半導体レーザアレイ / EADFBレーザ / フリップチップ実装 |
キーワード(英) | 400 Gigabit Ethernet / Semiconductor laser array / EADFB laser / Flip-chip interconnection |
資料番号 | OCS2014-82,OPE2014-126,LQE2014-100 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
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開催期間 | 2014/10/23(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | フリップチップ接続技術を用いた50Gb/s x 8Ch EADFBレーザアレイ(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | 8 x 50-Gb/s EADFB laser array module using flip-chip interconnection technique |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 400ギガビットイーサネット / 400 Gigabit Ethernet |
キーワード(2)(和/英) | 半導体レーザアレイ / Semiconductor laser array |
キーワード(3)(和/英) | EADFBレーザ / EADFB laser |
キーワード(4)(和/英) | フリップチップ実装 / Flip-chip interconnection |
第 1 著者 氏名(和/英) | 金澤 慈 / Shigeru KANAZAWA |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社デバイスイノベーションセンタ Device Innovation Center, NTT Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 藤澤 剛 / Takeshi FUJISAWA |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社フォトニクス研究所:(現)北海道大学 Photonics Laboratories, NTT Corporation:(Present office)Hokkaido University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 高畑 清人 / Kiyoto TAKAHATA |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社デバイスイノベーションセンタ Device Innovation Center, NTT Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 三条 広明 / Hiroaki SANJOH |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社デバイスイノベーションセンタ Device Innovation Center, NTT Corporation |
第 5 著者 氏名(和/英) | 伊賀 龍三 / Ryuzo IGA |
第 5 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社先端集積デバイス研究所 Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
第 6 著者 氏名(和/英) | 石井 啓之 / Hiroyuki ISHII |
第 6 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社先端集積デバイス研究所 Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
発表年月日 | 2014-10-31 |
資料番号 | OCS2014-82,OPE2014-126,LQE2014-100 |
巻番号(vol) | vol.114 |
号番号(no) | 283 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |