| 講演名 | 2014-10-30 SiO_2/Si基板上InP系活性層薄膜への埋込み成長によるレーザ作製(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) 藤井 拓郎, 佐藤 具就, 武田 浩司, 長谷部 浩一, 硴塚 孝明, 松尾 慎治, |
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| 抄録(和) | 大規模光集積デバイスの実現に向けて、Si基板上の任意の箇所に小型・高効率なIII-V族半導体レーザーを作製する技術が求められている。本稿では、SiO_2/Si基板上にInP系多重量子井戸(multiple quantum well; MQW)薄膜を直接接合し、その後MOVPE結晶成長を行うことで、Si基板上にDFBレーザを作製した結果について述べる。Si基板に接合したInP系MQW薄膜の結晶品質は、結晶成長の高温環境に曝された後においても良好であった。作製したDFBレーザの共振器長は120μmと小型であり、しきい値電流1.8 mAでの室温連続発振、40 Gbit/sでの直接変調動作を確認した。 |
| 抄録(英) | Integration of III-V lasers on a Si substrate is the key to realizing large-scale photonic integrated circuits (PICs) using silicon (Si) device fabrication technologies. We have therefore developed membrane buried heterostructure lasers on SiO_2/Si by epitaxial growth on an InP-based membrane including multiple quantum well, which is directly bonded to a SiO_2/Si substrate. There was no degradation of the crystal quality even after the high-temperature annealing. We have successfully fabricated the compact DFB laser with a 120-μm-long cavity on SiO_2, and also experimentally confirmed that the room temperature continuous wave emission at a threshold current of 1.8 mA and the direct modulation of 40-Gbit/s NRZ were achieved. |
| キーワード(和) | 結晶成長 / DFBレーザ / ウェハ直接接合 / シリコンフォトニクス |
| キーワード(英) | Epitaxial growth / DFB laser / Direct bonding / Si photonics |
| 資料番号 | OCS2014-68,OPE2014-112,LQE2014-86 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2014/10/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiO_2/Si基板上InP系活性層薄膜への埋込み成長によるレーザ作製(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of membrane lasers by epitaxial growth of InP using InP-based active layer film on SiO_2/Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 結晶成長 / Epitaxial growth |
| キーワード(2)（和/英） | DFBレーザ / DFB laser |
| キーワード(3)（和/英） | ウェハ直接接合 / Direct bonding |
| キーワード(4)（和/英） | シリコンフォトニクス / Si photonics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤井 拓郎 / Takuro Fujii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社:NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 具就 / Tomonari Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 武田 浩司 / Koji Takeda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社:NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 長谷部 浩一 / Koichi Hasebe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社:NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 硴塚 孝明 / Takaaki Kakitsuka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社:NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社:NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2014-10-30 |
| 資料番号 | OCS2014-68,OPE2014-112,LQE2014-86 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 283 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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