| 講演名 | 2014-10-30 超高速全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板に成長させた1550nm帯QD-SOAの利得特性とピエゾ効果の検討(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) 松本 敦, 武井 勇樹, 赤羽 浩一, 石川 浩, 松島 裕一, 宇高 勝之, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 光論理ゲート素子の実現に向け、歪補償技術を用いて量子ドット(QD)を20層積層した量子ドット半導体光増幅器(QD-SOA)を作製し、その基本的な特性を評価した。実験結果と解析結果の違いからピエゾ効果を仮定したところ、ピエゾ電界が生じていることを示唆する実験結果が得られたが、ピエゾ電界強度は予想よりも小さく25kV/cm程度であり、歪補償技術により抑制されていることがわかった。 |
| 抄録(英) | In this paper, we fabricated the QD-SOA consisting of the 20-layer-stacked QDs structure with the strain-compensation technique for the purpose of all optical logic gate device, and measured the fundamental characteristics of the QD-SOA. Investigating the difference between experimental and the simulation results, we obtained another experimental results indicating the piezoelectric effect. And we found that the amplitude of piezoelectric field was restricted by the strain-compensation technique, and it was about 25 kV/cm. |
| キーワード(和) | 光論理ゲート / 量子ドット / 半導体光増幅器 / ピエゾ効果 |
| キーワード(英) | Optical Logic Gate / Quantum Dots / Semiconductor Optical Amplifier / Piezoelectric effect |
| 資料番号 | OCS2014-58,OPE2014-102,LQE2014-76 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
|---|---|
| 開催期間 | 2014/10/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超高速全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板に成長させた1550nm帯QD-SOAの利得特性とピエゾ効果の検討(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gain Characteristics and Piezoelectric effect of 1550nm-Band QD-SOA Grown on InP(311)B Substrate for Ultra-Fast All-Optical Logic Gate Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光論理ゲート / Optical Logic Gate |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dots |
| キーワード(3)（和/英） | 半導体光増幅器 / Semiconductor Optical Amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | ピエゾ効果 / Piezoelectric effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松本 敦 / Atsushi Matsumoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構:早稲田大学理工学術院 National Institute of Information and Communications Technology (NICT):Faculty of Science and Engineering, Waseda University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武井 勇樹 / Yuki Takei |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学術院 Faculty of Science and Engineering, Waseda University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology (NICT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石川 浩 / Hiroshi Ishikawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学術院 Faculty of Science and Engineering, Waseda University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松島 裕一 / Yuichi Matsushima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 早稲田大学グリーンコンピューティングシステム研究機構 Green Computing Systems Research Organization, Waseda University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宇高 勝之 / Katsuyuki Utaka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学術院 National Institute of Information and Communications Technology (NICT) |
| 発表年月日 | 2014-10-30 |
| 資料番号 | OCS2014-58,OPE2014-102,LQE2014-76 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 283 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |