| 講演名 | 2014-10-30 高密度dc電流注入に基づく半導体全光ゲートの応答速度向上効果とエネルギー消費効率の研究(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) 板垣 元, 南出 雄佑, 長広 憲幸, 坂口 淳, 上野 芳康, |
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| 抄録(和) | 100～200Gb/sでの全光論理ゲート応用展開を目指して、欠陥導入や不純物導入を要さない光加速方式に基づく遮断周波数上限値向上を試みている。前回坂口らはその消費エネルギーモデルを新規提案しながらMQW SOA遮断周波数を20GHzから100GHzまで拡大し、新規な無効電流成分や周波数上限は検出されず、制限要因は注入電流上限値であった。今回は電流注入ワイヤ本数と冷却方式を改良し、バルクSOAに対する遮断周波数上限値制限要因や消費エネルギー値を調査し、報告する。 |
| 抄録(英) | We are trying to expand the application of all-optical logic gate at the 100 to 200Gb/s. To achieve this purpose, we've been improved the cut-off frequency upper limit with using the light acceleration method (Manning-Davies, 1994) which does not have the impurities doping and the introduction. Previously, we expanded the cut-off frequency of MQW SOA from 20GHz to 100GHz while proposing its new energy consumption model (Sakaguchi et al., 2008-2009). The limiting factor of cut-off frequency was only the injection current upper limit, and the new upper frequency limit and reactive current were not detected. In this paper, we investigated the limiting factor of cut-off frequency upper limit and the energy consumption values of the bulk SOA by improving the number of bonding wire and the method of cooling system. |
| キーワード(和) | 緩和時間 / 電流注入 / 遮断周波数 / 消費電力 / 半導体光増幅器 / 全光信号処理 |
| キーワード(英) | Recovery time / Current injection / Cut-off frequency / Power consumption / Semiconductor optical amplifier / All-optical processing |
| 資料番号 | OCS2014-50,OPE2014-94,LQE2014-68 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2014/10/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高密度dc電流注入に基づく半導体全光ゲートの応答速度向上効果とエネルギー消費効率の研究(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Studies on upper limit of all-optical semiconductor gate's cutoff frequency after optically accelerating more strongly, along with enhancing current injection rate for compensating for thus accelerated electron-hole recombination rate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 緩和時間 / Recovery time |
| キーワード(2)（和/英） | 電流注入 / Current injection |
| キーワード(3)（和/英） | 遮断周波数 / Cut-off frequency |
| キーワード(4)（和/英） | 消費電力 / Power consumption |
| キーワード(5)（和/英） | 半導体光増幅器 / Semiconductor optical amplifier |
| キーワード(6)（和/英） | 全光信号処理 / All-optical processing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 板垣 元 / Hajime Itagaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学先進理工学専攻 University of electro-communication |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 南出 雄佑 / Yusuke Minamide |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電気通信大学先進理工学専攻 University of electro-communication |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長広 憲幸 / Kazuyuki Nagahiro |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電気通信大学先進理工学専攻 University of electro-communication |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 坂口 淳 / Jun Sakaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電気通信大学先進理工学専攻:(現)(独)情報通信研究機構 University of electro-communication:(Present office)National Institute of Information and Communication Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上野 芳康 / Yoshiyasu Ueno |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 電気通信大学先進理工学専攻 University of electro-communication |
| 発表年月日 | 2014-10-30 |
| 資料番号 | OCS2014-50,OPE2014-94,LQE2014-68 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 283 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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