| 講演名 | 2014-10-31 InP(110)基板上アサーマルIQ光変調器及び集積化検討(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) 小木曽 義弘, 中西 泰彦, 金澤 慈, 山田 英一, 田野辺 博正, 柴田 泰夫, 神徳 正樹, |
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| 抄録(和) | 本稿では,InP-IQ光変調器において,初めて高速アサーマル変調動作を低損失に実証したので報告する.(110)面にスライスされたInP基板を用いることで簡便なプレーナ構造と対称電界によるプッシュ・プル動作を両立させた結果,作製したツインIQ変調器において全チャネルで変調帯域25 GHz以上を達成し,良好な56-Gb/s×2 QPSK動作及び,20-80℃の温度範囲においてQ値変動が1.0 dB以下(駆動点調整電圧・駆動電圧一定)であることを確認した.さらに,当該変調器とモノリシックに集積容易な台形コア偏波回転素子及び偏波分離・合波器の試作評価を行い,偏波変換率98%以上(C-L帯)及び,偏波分離時の偏波消光比～10dB(C帯)を達成したので報告する. |
| 抄録(英) | An InP-based athermal in-phase and quadrature optical modulator (IQM) was demonstrated for the first time. A single-RF drive push-pull MZM with a simple coplanar waveguide (CPW) was fabricated by utilizing a (110)-oriented InP substrate in terms of the crystallographic orientation dependence of the electro-optic Pockels effect. The device exhibits a 3 dB-EO bandwidth of over 25 GHz, and 56-Gb/s × 2 QPSK modulation. The variation in Q-factor over the entire range (20- 80 ℃) is less than 1.0 dB. Furthermore, a polarization converter with a trapezoidal core and a polarization beam splitter/combiner, which are suitable for device integration, were also successfully demonstrated. The converter exhibited a polarization conversion ratio of over 98% (C-L band) and a polarization extinction ratio of 10 dB (C band) in the polarization splitter. |
| キーワード(和) | 光変調器 / InP / (110)基板 |
| キーワード(英) | Optical modulator / InP / (110) substrate |
| 資料番号 | OCS2014-72,OPE2014-116,LQE2014-90 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS |
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| 開催期間 | 2014/10/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP(110)基板上アサーマルIQ光変調器及び集積化検討(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Studies of an athermal IQ optical modulator and the integratability on (110) InP substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光変調器 / Optical modulator |
| キーワード(2)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(3)（和/英） | (110)基板 / (110) substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小木曽 義弘 / Yoshihiro OGISO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中西 泰彦 / Yasuhiko NAKANISHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金澤 慈 / Shigeru KANAZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 英一 / Eiichi YAMADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田野辺 博正 / Hiromasa TANOBE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 柴田 泰夫 / Yasuo SHIBATA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 神徳 正樹 / Masaki KOHTOKU |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT corporation |
| 発表年月日 | 2014-10-31 |
| 資料番号 | OCS2014-72,OPE2014-116,LQE2014-90 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 281 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |