講演名 | 2014-10-31 DFBレーザを集積したマッハツェンダ干渉計型電界吸収光変調器の低駆動電圧動作(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) 上田 悠太, 藤澤 剛, 金澤 慈, 小林 亘, 高畑 清人, 三条 広明, 石井 啓之, 神徳 正樹, |
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抄録(和) | 電界吸収型光変調器(EAM)を集積した半導体レーザは低消費電力・低コストな中距離光伝送用の光送信器に重要な素子であり、送信器の低消費電力化の観点から、その駆動電圧振幅(V_m)の低減が強く望まれている。我々は従来のEAMの光吸収に加えて干渉計による消光作用を利用する事で消光比の大幅な向上が可能となる、即ち所定の消光比を得るためのV_mの低減が可能となるマッハツェンダ(MZ)型EAM(MZEA)を提案し、その低電圧動作を実証してきた。更に今回、このMZEAを分布帰還形レーザ(DFBレーザ)と集積したMZEA-DFBレーザを作製し、従来のEAM集積DFBレーザと同程度の光出力強度と低V_m動作を同時に実現したので報告する。 |
抄録(英) | An electroabsorption modulator (EAM) integrated with a laser diode is key device of a low-power consumption and low cost optical transmitter for middle-distance optical communication. Reduction of the modulation voltage (V_m) of an EAM is an important issue to further reduce the power consumption of the transmitter. We have developed an Mach-Zenhder (MZ) interferometer-type EAM (MZEA) that has large extinction ratio (ER) since it modulates the light intensity by both optical absorption and interferometric extinction, resulting in low-voltage operation for a given ER. Furthermore, we integrated the MZEA with a DFB laser diode and obtained low V_m operation with comparable output power to a conventional EAM integrated with a DFB laser diode. |
キーワード(和) | 電界吸収型光変調器 / マッハツェンダ干渉計 / DFBレーザ / 低駆動電圧動作 |
キーワード(英) | Electroabsorption Modulator (EAM) / Mach-Zehnder Interferometer (MZI) / DFB laser diode / low voltage operation |
資料番号 | OCS2014-71,OPE2014-115,LQE2014-89 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OCS |
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開催期間 | 2014/10/23(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | DFBレーザを集積したマッハツェンダ干渉計型電界吸収光変調器の低駆動電圧動作(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Low-voltage Operation of Mach-Zehnder Interferometer-type Electroabsorption Modulator integrated with DFB Laser Diode |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 電界吸収型光変調器 / Electroabsorption Modulator (EAM) |
キーワード(2)(和/英) | マッハツェンダ干渉計 / Mach-Zehnder Interferometer (MZI) |
キーワード(3)(和/英) | DFBレーザ / DFB laser diode |
キーワード(4)(和/英) | 低駆動電圧動作 / low voltage operation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 上田 悠太 / Yuta UEDA |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社デバイスイノベーションセンタ Nippon Telegraph and Telephone Corporation (NTT), Device Innovation Center |
第 2 著者 氏名(和/英) | 藤澤 剛 / Takeshi FUJISAWA |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社フォトニクス研究所:(現)北海道大学 NTT, Photonics Laboratories:(Present office)Hokkaido University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 金澤 慈 / Shigeru KANAZAWA |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社デバイスイノベーションセンタ Nippon Telegraph and Telephone Corporation (NTT), Device Innovation Center |
第 4 著者 氏名(和/英) | 小林 亘 / Wataru KOBAYSHI |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社先端集積デバイス研究所 NTT, Device Technology Laboratories |
第 5 著者 氏名(和/英) | 高畑 清人 / Kiyoto TAKAHATA |
第 5 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社デバイスイノベーションセンタ Nippon Telegraph and Telephone Corporation (NTT), Device Innovation Center |
第 6 著者 氏名(和/英) | 三条 広明 / Hiroaki SANJOH |
第 6 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社デバイスイノベーションセンタ Nippon Telegraph and Telephone Corporation (NTT), Device Innovation Center |
第 7 著者 氏名(和/英) | 石井 啓之 / Hiroyuki ISHII |
第 7 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社先端集積デバイス研究所 NTT, Device Technology Laboratories |
第 8 著者 氏名(和/英) | 神徳 正樹 / Masaki Kohtoku |
第 8 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社デバイスイノベーションセンタ Nippon Telegraph and Telephone Corporation (NTT), Device Innovation Center |
発表年月日 | 2014-10-31 |
資料番号 | OCS2014-71,OPE2014-115,LQE2014-89 |
巻番号(vol) | vol.114 |
号番号(no) | 281 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |