| 講演名 | 2014-10-30 InP(001)微傾斜基板上における高密度InAs量子ドット形成とレーザ応用(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) 赤羽 浩一, 山本 直克, 梅沢 俊匡, 川西 哲也, |
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| 抄録(和) | これまでに我々はInP(311)B基板上でInAs量子ドットの高密度形成法を確立し、これを用いた高性能光デバイスを実現してきた。基板の面方位として(311)B面を用いるのは円形の量子ドットを得るためであり、(001)面上で同程度の量子ドットを得ることは難しかった。今回我々はInP(001)微傾斜基板とAsフラックスにAs_2を用いることによりInP(001)基板上でも比較的均一性の高いInAs量子ドットを得ることに成功した。また、この量子ドット作製技術と歪補償技術を用いてレーザ構造を作製し、室温発振に成功した。 |
| 抄録(英) | We developed a growth technique of InAs QD on InP(001) substrate by using vicinal surface of (001) and As_2 fulux. Using this structure, we successfully fabricated a highly stacked InAs QD laser. A stack of 30 InAs QD layers and InGaAlAs spacer layers were grown for an active region with a strain-compensation technique. This QD laser shows lasing at 1576 nm with a threshold current of 1037 mA at room temperature. The lasing wavelength was almost same as the peak wavelength of QD ground levels in photoluminescence. Therefore, this lasing occurs at QD ground levels, which result from the large optical gain of the highly stacked QDs.. |
| キーワード(和) | 量子ドット / 量子ダッシュ / 歪補償 / 半導体レーザ |
| キーワード(英) | quantum dot / quantum dash / strain compensation semiconductor laser |
| 資料番号 | OCS2014-67,OPE2014-111,LQE2014-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS |
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| 開催期間 | 2014/10/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP(001)微傾斜基板上における高密度InAs量子ドット形成とレーザ応用(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of InAs quantum dots on vicinal (001)InP substrate and its application for laser diode |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ダッシュ / quantum dash |
| キーワード(3)（和/英） | 歪補償 / strain compensation semiconductor laser |
| キーワード(4)（和/英） | 半導体レーザ |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 赤羽 浩一 / Kouichi AKAHANE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (独)情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 直克 / Naokatsu YAMAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (独)情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 梅沢 俊匡 / Toshimasa UMEZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (独)情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川西 哲也 / Tetsuya KAWANISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (独)情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology |
| 発表年月日 | 2014-10-30 |
| 資料番号 | OCS2014-67,OPE2014-111,LQE2014-85 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 281 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |