| 講演名 | 2014-10-30 高Q値化した埋込ヘテロL3共振器によるフォトニック結晶全光メモリ : 2.3nWの超低バイアス動作と28bitモノリシック集積の実現(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) 倉持 栄一, 野崎 謙悟, 新家 昭彦, 谷山 秀昭, 武田 浩司, 佐藤 具就, 松尾 慎治, 納富 雅也, |
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| 抄録(和) | フォトニック結晶は全光メモリを超小型かつ超低動作パワーで実現できる技術として注目されている.今回我々は既に超低パワー動作を達成済みのInP埋込ヘテロナノ共振器に,新設計により高Q値化したL3共振器を組み合わせることで,更に一桁低い2.3nWで動作させることに成功した.更にモノリシック集積した28ビットの光RAM動作に成功した. |
| 抄録(英) | Photonic crystal is a platform technology for ultra-compact and ultra-low-power all-optical memory. Here we report a photonic crystal nanocavity all-optical memory operated at 2.3-nW bias power realized by InP buried-heterostructure L3 nanocavity with novel systematic hole tuning for Q-factor enhancement. We also realized wavelength-addressable 28-bit optical RAM operation in monolithically integrated nanocavity array by the use of the same nanocavity. |
| キーワード(和) | フォトニック結晶 / 共振器 / 光メモリ / 全光処理 / 光集積回路 |
| キーワード(英) | Photonic crystal / Cavity / Optical memory / All-optical signal processing / Photonic integrated circuit |
| 資料番号 | OCS2014-61,OPE2014-105,LQE2014-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS |
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| 開催期間 | 2014/10/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高Q値化した埋込ヘテロL3共振器によるフォトニック結晶全光メモリ : 2.3nWの超低バイアス動作と28bitモノリシック集積の実現(超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | All-optical memory by buried-heterostructure high-Q L3 photonic crystal nanocavity : Buried-heterostructure L3 nanocavity all-optical memory operated at 2.3 nW bias power |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトニック結晶 / Photonic crystal |
| キーワード(2)（和/英） | 共振器 / Cavity |
| キーワード(3)（和/英） | 光メモリ / Optical memory |
| キーワード(4)（和/英） | 全光処理 / All-optical signal processing |
| キーワード(5)（和/英） | 光集積回路 / Photonic integrated circuit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 倉持 栄一 / Eiichi KURAMOCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTナノフォトニクスセンタ:日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野崎 謙悟 / Kengo NOZAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTナノフォトニクスセンタ:日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 新家 昭彦 / Akihiko SHINYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTナノフォトニクスセンタ:日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 谷山 秀昭 / Hideaki TANIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTナノフォトニクスセンタ:日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 武田 浩司 / Koji TAKEDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTナノフォトニクスセンタ:日本電信電話株式会社NTT先端集積デバイス研究所 NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 佐藤 具就 / Tomonari SATO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTナノフォトニクスセンタ NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 松尾 慎治 / Shinji MATSUO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTナノフォトニクスセンタ:日本電信電話株式会社NTT先端集積デバイス研究所 NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 納富 雅也 / Masaya NOTOMI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTナノフォトニクスセンタ:日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2014-10-30 |
| 資料番号 | OCS2014-61,OPE2014-105,LQE2014-79 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 281 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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