| 講演名 | 2014-10-02 イオンビームアシストスパッタ法によるCo_2MnSi薄膜の低温エピタキシャル成長(ヘッド,スピントロニクス,一般) 植田 研二, 浅野 秀文, |
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| 抄録(和) | イオンビームスパッタ(IBS)法を用い,MgAl_2O_4(MAO)基板上への高品質Co_2MnSi (CMS)薄膜の作製を試みた.550℃～700℃の成長温度でエピタキシャルCMS薄膜が得られたが,高温成長による基板-薄膜界面での反応や拡散等に由来すると思われる磁気特性の劣化(M_sの減少,H_sの増大)が生じた.Arビームアシストを併用したイオンビームアシストスパッタ(IBAS)法による低成長温度化を試みた所,500℃以下の成長温度でL2_1規則化したエピタキシャルCMS薄膜が得る事ができた.また,このCMS薄膜は,バルクと同等の飽和磁化(M_s: ～1100emu/cc)及びハーフメタル特有の負のAMR(～-0.2%)を示した.これらの結果は,IBAS法によるCMS薄膜の低温成長により基板-薄膜界面での反応,拡散等が抑えられ,磁気特性に優れたエピタキシャルCMS薄膜が得られる事を示している |
| 抄録(英) | Co_2MnSi (CMS) films were deposited on MgAl_2O_4 (MAO) substrates by ion beam sputtering (IBS). CMS films were epitaxially grown on MAO substrates by IBS at the substrate temperature of 550-700℃. However, their saturation magnetization (M_s) values were much lower than that of bulk CMS because of interfacial diffusion and/or reaction between the CMS and MAO at this relatively high growth temperature. With lower temperature deposition by ion beam assisted sputtering (IBAS), epitaxial CMS films with L2_1 structures were formed below ～500℃, and their M_s values were comparable to those of bulk CMS. The CMS films had a negative AMR of ～0.2% at 10 K, indicating these films were half-metallic. These results suggest low-temperature growth below ～500℃ by IBAS is necessary to obtain high-quality CMS films. |
| キーワード(和) | Co_2MnSi / イオンビームアシストスパッタリング / MgAl_2O_4 / ハーフメタル |
| キーワード(英) | Co_2MnSi / Ion beam assist sputtering / MgAl_2O_4 / Half-metal |
| 資料番号 | MR2014-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2014/9/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | イオンビームアシストスパッタ法によるCo_2MnSi薄膜の低温エピタキシャル成長(ヘッド,スピントロニクス,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature growth of epitaxial Co_2MnSi films by ion-beam assisted sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Co_2MnSi / Co_2MnSi |
| キーワード(2)（和/英） | イオンビームアシストスパッタリング / Ion beam assist sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | MgAl_2O_4 / MgAl_2O_4 |
| キーワード(4)（和/英） | ハーフメタル / Half-metal |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 植田 研二 / Kenji UEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅野 秀文 / Hidefumi ASANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2014-10-02 |
| 資料番号 | MR2014-17 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |