| 講演名 | 2014-10-02 反強磁性X相Cr_3Al(001)薄膜の作製と交換バイアスの発現(ヘッド,スピントロニクス,一般) 播本 祥太郎, 白土 優, 中谷 亮一, |
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| 抄録(和) | bccベースの結晶構造を有し,また,(001)配向した反強磁性薄膜を用いた垂直交換バイアス薄膜の開発を目指して,本研究では,特に,X相Cr_3Al(001)薄膜の作製とこの反強磁性薄膜を用いた垂直交換バイアスの発現について検討した.成長温度を573Kとした場合に,MgO(001)基板上で単結晶X相Cr_3Al(001)薄膜が形成した.X相の形成は,X線回折測定と共に,電気抵抗率の温度依存性が負の温度係数を有することから確認した.一方,成長温度を873Kとすると,C11_b構造が形成した.X相Cr_3Al(001)薄膜上に,垂直磁気異方性を示すCo/Au薄膜を積層させることで,低温(<200K)ではあるが,膜面垂直方向の交換バイアスが発現することが分かった. |
| 抄録(英) | We have investigated the fabrication of the X-phase Cr_3Al(001) thin film and the induction of the perpendicular exchange bias using this antiferromagnet toward the perpendicular exchange-biased system using bcc-based (001) antiferromagnetic thin film. When the growth temperature was 573 K, the single crystalline X-phase Cr_3Al(001) layer was grown on the MgO(001) surface. The formation of the X-phase Cr_3Al(001) was revealed using X ray diffraction and unique temperature dependence of electrical resistivity, i.e. a negative temperature coefficient of resistivity. When the growth temperature was 587 K, the C11_b Cr_3Al was formed which agrees with the previous report. By depositing Co/Au bilayer on the X-phase Cr_3Al(001) layer, the perpendicular magnetic anisotropy was observed. Besides, the perpendicular exchange bias was induced below 200 K. |
| キーワード(和) | X相Cr_3Al / 交換バイアス / 反強磁性体 / 磁気トンネル接合 |
| キーワード(英) | X-phase Cr_3Al / exchange bias / antiferromagnet / magnetic tunnel junction |
| 資料番号 | MR2014-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2014/9/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 反強磁性X相Cr_3Al(001)薄膜の作製と交換バイアスの発現(ヘッド,スピントロニクス,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of antiferromagnetic X-phase Cr_3Al(001) thin film and induction of exchange bias |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | X相Cr_3Al / X-phase Cr_3Al |
| キーワード(2)（和/英） | 交換バイアス / exchange bias |
| キーワード(3)（和/英） | 反強磁性体 / antiferromagnet |
| キーワード(4)（和/英） | 磁気トンネル接合 / magnetic tunnel junction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 播本 祥太郎 / Shotaro HARIMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 白土 優 / Yu SHRIATSUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中谷 亮一 / Ryoichi NAKATANI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2014-10-02 |
| 資料番号 | MR2014-15 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |