| 講演名 | 2014-10-25 3D及び2.5D-IC配線に適用可能な低温SiN_x膜の特性(薄膜プロセス・材料,一般) 武山 真弓, 佐藤 勝, 小林 靖志, 中田 義弘, 中村 友二, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | 微細化により達成してきた従来のLSIの高性能化は、量子限界や微細化限界が切迫し、新たな方向性の検討が盛んに行われている。その一つに、3次元集積回路技術がある。近年、チップあるいはウェハ間を最短で配線するシリコン貫通ビア配線(Through Si Via:TSV)の実現により、急速に3次元LSIが発展してきた。そこで本研究では、TSVに欠かせない有用なSiN_x膜を反応性スパッタ法とPECVD法にて低温で作製し、その特性を詳細に検討した。膜密度、屈折率、組成などのSiN_x膜の特性を種々の成膜手法及び温度条件で検討した結果、従来経験的に知られていた事実とおおよそ一致する結果が得られたが、その要因はこれまでの定説とは若干異なっていた。特に、屈折率は膜中に含まれる酸素の含有量に比例し、膜密度はSi-N結合をいかに効率よく作れるかという点に依存しており、単純に膜組成に依存するものではないことが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | 3-dimensional stacked LSI and/or 2.5-D IC is attracted much attention to solve the issues how to develop the integration density and/or functional variety of LSI without depending on the scaling down of the circuit size alone. Through-Si-Via (TSV) is an essential wiring technology to form a stack of chips or wafers in 3-D LSI. We examine the characterization of SiN_x films deposited by reactive-sputtering and plasma-enhanced CVD at low temperatures under different conditions as an insulating barrier applicable to TSV. Features of prepared SiN_x films, such as film density, refractive index, mainly depend on not composition in the SiN_x films but the amount of Si-N chemical bond and oxygen content, respectively. It is revealed that the higher ratio of the Si-N bonds in the film is important factor for the film of high density. |
| キーワード(和) | 3次元LSI / シリコン貫通ビア配線 / SiN_x膜 / 低温作製 / 反応性スパッタ / PECVD |
| キーワード(英) | 3-dimensional stacked LSI / Through Si via / SiN_x film / low temperature process / reactive sputtering / PECVD |
| 資料番号 | CPM2014-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2014/10/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3D及び2.5D-IC配線に適用可能な低温SiN_x膜の特性(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of low-temperature deposited SiNx films applicable to 3D/2.5D-IC |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3次元LSI / 3-dimensional stacked LSI |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン貫通ビア配線 / Through Si via |
| キーワード(3)（和/英） | SiN_x膜 / SiN_x film |
| キーワード(4)（和/英） | 低温作製 / low temperature process |
| キーワード(5)（和/英） | 反応性スパッタ / reactive sputtering |
| キーワード(6)（和/英） | PECVD / PECVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami institute of technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 勝 / Masaru SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami institute of technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 靖志 / Yasushi KOBAYASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中田 義弘 / Yoshihiro NAKATA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 友二 / Tomoji NAKAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami institute of technology |
| 発表年月日 | 2014-10-25 |
| 資料番号 | CPM2014-115 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 276 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |