講演名 2014-10-08
真空熱処理法を用いた誘電体ミラー上セリウム置換イットリウム鉄ガーネットの形成(光記録技術・電子材料、一般)
吉本 拓矢, 後藤 太一, 金澤 直輝, 磯谷 亮介, 高木 宏幸, 中村 雄一, / 井上 光輝,
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抄録(和) 真空熱処理法を用いて誘電体ミラー上にセリウム置換イットリウム鉄ガーネット(Ce:YIG)膜を形成し,熱処理条件の変化によるCe:YIGの結晶性,Ceの化学結合状態,および磁気光学特性への影響を調べた.750~850℃で30分間の熱処理を施すことで,Ce:YIGが結晶化することを確認した.900℃で熱処理を行うと,α-Fe_2O_3のXRDピークが確認できた.熱処理条件の違いはCeの化学結合状態に影響を与えず,真空熱処理によりCeO_2の析出を抑制できることが分かった.800℃で30分間の熱処理を施した結果,波長580nmにおいて単結晶Ce:YIGに匹敵する1.97deg/μmのファラデー回転角が得られた.以上の結果より,真空然処理法を用いることで誘電体ミラー上に高い性能を有するCe:YIGが形成できることが分かった.
抄録(英) Poly crystalline cerium-substituted yttrium iron garnet (Ce:YIG) was grown on dielectric mirror substrates by rf sputtering followed by thermal annealing in vacuum. The film annealed at 750, 800, 850℃ for 30 minutes showed polycrystalline garnet x-ray diffraction peaks and annealed at 900℃ for 30 minutes showed hematite (α-Fe_2O_3) peak. The x-ray photoelectron spectroscopy results indicated that the annealing temperature and annealing time have no effect on the chemical bond state of cerium in the garnet system. The Faraday rotation angle of the Ce:YIG grown on dielectric mirrors is comparable to single crystal's value. It is revealed that annealing in 800℃ for 30 minutes is the best suited annealing condition.
キーワード(和) セリウム置換イットリウム鉄ガーネット / 磁性フォトニック結晶 / 光アイソレータ
キーワード(英) Cerium substituted yttrium iron garnet / Magneto-photonic crystals / Optical isolator
資料番号 CPM2014-94
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2014/10/1(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 真空熱処理法を用いた誘電体ミラー上セリウム置換イットリウム鉄ガーネットの形成(光記録技術・電子材料、一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication of cerium substituted yttrium iron garnets on dielectric mirrors using vacuum anneal
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) セリウム置換イットリウム鉄ガーネット / Cerium substituted yttrium iron garnet
キーワード(2)(和/英) 磁性フォトニック結晶 / Magneto-photonic crystals
キーワード(3)(和/英) 光アイソレータ / Optical isolator
第 1 著者 氏名(和/英) 吉本 拓矢 / Takuya YOSHIMOTO
第 1 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学
Toyohashi University of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 後藤 太一 / Taichi GOTO
第 2 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学
Toyohashi University of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 金澤 直輝 / Naoki KANAZAWA
第 3 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学
Toyohashi University of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 磯谷 亮介 / Ryosuke ISOGAI
第 4 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学
Toyohashi University of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 高木 宏幸 / Hiroyuki TAKAGI
第 5 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学
Toyohashi University of Technology
第 6 著者 氏名(和/英) 中村 雄一 / Yuichi NAKAMURA
第 6 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学
Toyohashi University of Technology
第 7 著者 氏名(和/英) / 井上 光輝 / Caroline A. ROSS
第 7 著者 所属(和/英) マサチューセッツ工科大学
Massachusetts Institute of Technology
発表年月日 2014-10-08
資料番号 CPM2014-94
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 237
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日