講演名 2014-10-23
インピーダンス反転回路を用いない広帯域高効率C帯GaAs p-HEMTドハティ増幅器MMIC(マイクロ波,電磁界シミュレーション,EMC一般)
吉田 剛, 高山 洋一郎, 石川 亮, 本城 和彦,
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抄録(和) ドハティ増幅器は特性の異なる2つの増幅器の結合にインピーダンス反転回路を用いるため,回路面積が大きく帯域も狭いという問題がある。この問題に対して2つの増幅器について低入力と高入力において最適設計することでインピーダンス反転回路を用いないドハティ増幅器構成が提案されている。今回,直列接続型においてインピーダンス反転回路有・無での特性の比較を行い反転回路無の優位性を示し,この手法に基づきC帯においてGaAs pHEMT MMIC構成で2.0mm×3.0mmの小型直列接続型ドハティ増幅器を設計・試作し6.4GHzで最大出力電力23.4dBm最大付加電力効率49.9%、6.1-6.8GHzにおいて入力バックオフ10dB点でPAE40%以上という良好な結果を得た。
抄録(英) The microwave Doherty amplifier consists of two different type amplifiers and quarter-wave impedance inverting network. Therefore, circuit area is large and frequency bandwidth is narrow. We reported a novel Doherty amplifier without impedance inverting network. In order to remove the inverting network, the output matching networks of both amplifiers are designed to realize high performance both at a low RF level and at the RF saturation level. C-band series-connected-load Doherty amplifier without impedance inverting network was designed and fabricated using GaAs p-HEMT MMIC technology. The amplifier achieved a maximum power added efficiency(PAE) of 49.9% and maximum output power 23.4dBm, A PAE under 10-dB input back-off from a saturated outout power higher than 40% is obtained for a frequency range of 6.1GHz to 6.8GHz.
キーワード(和) ドハティ増幅器 / マイクロ波 / 電力増幅器 / GaAs HEMT / 直列接続型 / MMIC / 広帯域
キーワード(英) Doherty Amplifier / microwave / power amplifier / GaAs HEMT / series connected load type / MMIC / broadband
資料番号 EMCJ2014-47,MW2014-103,EST2014-61
発行日

研究会情報
研究会 EST
開催期間 2014/10/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Simulation Technology (EST)
本文の言語 JPN
タイトル(和) インピーダンス反転回路を用いない広帯域高効率C帯GaAs p-HEMTドハティ増幅器MMIC(マイクロ波,電磁界シミュレーション,EMC一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Broadband High-Efficiency C-band GaAs p-HEMT MMIC Doherty Amplifier without Impedance Inverting Network
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ドハティ増幅器 / Doherty Amplifier
キーワード(2)(和/英) マイクロ波 / microwave
キーワード(3)(和/英) 電力増幅器 / power amplifier
キーワード(4)(和/英) GaAs HEMT / GaAs HEMT
キーワード(5)(和/英) 直列接続型 / series connected load type
キーワード(6)(和/英) MMIC / MMIC
キーワード(7)(和/英) 広帯域 / broadband
第 1 著者 氏名(和/英) 吉田 剛 / Tsuyoshi Yoshida
第 1 著者 所属(和/英) 電気通信大学
The University of Electro-Communications
第 2 著者 氏名(和/英) 高山 洋一郎 / Yoichiro Takayama
第 2 著者 所属(和/英) 電気通信大学
The University of Electro-Communications
第 3 著者 氏名(和/英) 石川 亮 / Ryo Ishikawa
第 3 著者 所属(和/英) 電気通信大学
The University of Electro-Communications
第 4 著者 氏名(和/英) 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo
第 4 著者 所属(和/英) 電気通信大学
The University of Electro-Communications
発表年月日 2014-10-23
資料番号 EMCJ2014-47,MW2014-103,EST2014-61
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 268
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日