| 講演名 | 2014-10-25 低温作製されたZr_3N_4膜の絶縁バリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般) 佐藤 勝, 武山 真弓, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | ビアラストプロセスでシリコン貫通ビアを形成するには、拡散バリヤや絶縁バリヤを200℃程度の低温で作製することが要請される。本研究では、これらの2層バリヤをZrN/Zr_3N_4という同質異像による電気的特性の異なる1つの材料系で作ることを提案する。高抵抗なZr_3N\4膜の成膜条件と電気的特性を基礎的に調べ、すでに得られた低抵抗なZrN膜とを組み合わせた2層バリヤを200℃以下の温度で作り分けることができた。さらに、ビアのモデルとなるCu/ZrN(拡散バリヤ)/Zr_3N_4(絶縁バリヤ)/Si積層構造を作製し、500℃1時間の熱処理を行って、積層構造の熱的安定性を評価したが、それぞれのバリヤ及び各界面は構造および組織の変化、拡散・反応などの変化は見られず、安定なバリヤとなることを明らかとした。 |
| 抄録(英) | Bi-layered barrier system consisting of the diffusion and insulating barriers that is processed at low temperatures below 200 ℃ is necessary to realize the through-Si via (TSV) in the via last process. In this study, we propose the above-mentioned bi-layered barrier made of ZrN/Zr_3N_4, the polymorphic compounds in the Zr-N binary system, with different electrical characteristics of conductor and insulator. We preliminary examine the preparation conditions and high resistive characteristics of Zr_3N_4. We can demonstrate that the insulating Zr_3N_4 film can be successfully prepared at temperatures less than 200 ℃. We prepare the Cu/ZrN(diffusion barrier)/Zr_3N_4(insulating barrier)/Si system as a model of TSV using the conductive ZrN film previously reported. The heat treatment at 500 ℃ for 1h brings about no change of the barrier in texture and configuration and no interdiffusion and reaction at every interface, indicating the stability of present bi-layered barrier. |
| キーワード(和) | シリコン貫通ビア / 拡散バリヤ / 絶縁バリヤ / Zr_3N_4膜 / ZrN膜 |
| キーワード(英) | TSV / diffusion barrier / insulating barrier / Zr_3N_4 film / ZrN film |
| 資料番号 | CPM2014-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2014/10/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低温作製されたZr_3N_4膜の絶縁バリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Barrier Properties of Zr_3N_4 Insulating Films Deposited at Low Temperatures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン貫通ビア / TSV |
| キーワード(2)（和/英） | 拡散バリヤ / diffusion barrier |
| キーワード(3)（和/英） | 絶縁バリヤ / insulating barrier |
| キーワード(4)（和/英） | Zr_3N_4膜 / Zr_3N_4 film |
| キーワード(5)（和/英） | ZrN膜 / ZrN film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 勝 / Masaru SATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2014-10-25 |
| 資料番号 | CPM2014-114 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 276 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |