| 講演名 | 2014-10-24 薄いSiO_2層の介在するNi/Si系におけるシリサイド形成反応(薄膜プロセス・材料,一般) 野矢 厚, 武山 真弓, |
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| 抄録(和) | これまでにNi/Si系において、シリサイドの相形成過程では、その反応前段階にNiとSiの混合により形成されるアモルファス合金の組成が、その後形成される相の選択に重要な要件となることを報告してきた。ここでは、Niの拡散を直接的に抑制するためにごく薄いSiO_2層を介在させた系において、初期形成相の選択がどのようになるのかを実験的に検証した。その結果、Si-richな合金の形成により、通常の相形成のシーケンスによらずに、最終形成相であるNiSi_2が低温で直接形成されることを確認した。これにより、従来最終形成相であるNiSi_2は、その温度における相安定性に起因したNiSiからの転移によるとされていたが、相形成のkineticsによっていることが示唆された。 |
| 抄録(英) | In the Ni/Si system, we have reported that the composition of an amorphous alloy formed by intermixing between Ni and Si prior to the phase formation is important to determine which phase will be subsequently nucleated. In this study, we examine the first phase formation in the Ni/Si system with an extremely thin SiO_2 layer to suppress the Ni diffusion into Si. The result indicates that NiSi_2, the high-temperature end phase in the ordinarily phase formation sequence, is formed as the first phase at a low temperature. This indicates that the NiSi_2 phase nucleates skipping the phase formation sequence owing to kinetic constraint. |
| キーワード(和) | シリサイド / NiSi_2 / 固相反応 / 反応動力学 |
| キーワード(英) | Silicides / NiSi_2 / Solid-state reaction / Reaction kinetics |
| 資料番号 | CPM2014-113 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2014/10/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 薄いSiO_2層の介在するNi/Si系におけるシリサイド形成反応(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Silicidation reaction in Ni/Si system with thin interposed SiO_2 layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリサイド / Silicides |
| キーワード(2)（和/英） | NiSi_2 / NiSi_2 |
| キーワード(3)（和/英） | 固相反応 / Solid-state reaction |
| キーワード(4)（和/英） | 反応動力学 / Reaction kinetics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2014-10-24 |
| 資料番号 | CPM2014-113 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 276 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |