| 講演名 | 2014-10-24 成長室を用いた溶液成長法によるSnS堆積(薄膜プロセス・材料,一般) 山中 雄貴, 兼森 遥平, 高野 泰, 石田 明広, |
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| 抄録(和) | 溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させている。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタノールアミン、チオアセトアミド、アンモニア水を用いて作製した。ビーカー中にスライドガラスを役入することにより作製した。薄膜の堆積量の再現性が乏しいことから溶液の組成が重要であることに加えて別の要因がガラス上への堆積を支配しているように見える。通常の溶液成長法では、制御するパラメーターが温度と撹絆子の回転速度のみである。そこでフローセル(成長室)を用いて溶液温度、基板温度、溶液の供給速度を制御できるようにした。溶液を混合後の時間(反応時間)が一定になるようにした。SnSがガラス上に堆積できることが分かった。 |
| 抄録(英) | Tin sulfide has been deposited on glasses using chemical bath deposition. SnS glows on glasses in a beaker containing several solutions with SnCl_22H_2O, acetone, triethanolamine (TEA), thioacetamide (TA), and ammonia. Deposition thickness lacks of reproducibility, indicating that the parameters except a solution composition dominated film deposition. Solution changed with time in a beaker. We prepared a flow cell to control the residence time for reactants in a tube, the flow rate of the solution and the temperature of the solution. X-ray diffraction measurement revealed SnS depositon on a glass in the flow cell after a mixture of reactants. |
| キーワード(和) | SnS / 溶液成長法(CBD法) / IV-VI族化合物 / フローセル |
| キーワード(英) | tinsulfide / chemical bath deposition / IV-VI compound semiconductor |
| 資料番号 | CPM2014-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2014/10/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 成長室を用いた溶液成長法によるSnS堆積(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chemical solution deposition of SnS in a flow cell |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SnS / tinsulfide |
| キーワード(2)（和/英） | 溶液成長法(CBD法) / chemical bath deposition |
| キーワード(3)（和/英） | IV-VI族化合物 / IV-VI compound semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | フローセル |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山中 雄貴 / Yuki YAMANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学大学大学院電気電子工学専攻 Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 兼森 遥平 / Yohei KANEMORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Yasushi TAKANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学大学大学院電子物質科学専攻 Department of Electronics and Material Sciences, Graduate School of Engineering, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石田 明広 / Akihiro ISHIDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学大学大学院電子物質科学専攻 Department of Electronics and Material Sciences, Graduate School of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2014-10-24 |
| 資料番号 | CPM2014-110 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 276 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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