| 講演名 | 2014-10-24 TEOSを用いた熱CVD法による4H-SiC MIS特性に対するH_2アニールの効果(薄膜プロセス・材料,一般) 狩野 巧生, 赤羽 桂幸, 小林 悠太, 山上 朋彦, 上村 喜一, |
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| 抄録(和) | TEOSを用いた熱CVD法により4H-SiC(0001)Si面にSiO_2膜を形成し、作製したSiO_2/SiCキャパシタのH_2アニールの界面特性への影響を調査した。TEOS-SiO_2膜堆積後のH_2アニールにより膜質が改善され、界面準位密度が大きく低減した。N_2アニールでは熱CVD法により成膜したTEOS-SiO_2膜中に熱分解されずに残留したTEOSがSiO_2/SiC界面で反応し界面特性を劣化した。反応性の良いH_2を用いたアニールにより、残留したTEOSがH_2と反応するためSiO_2/SiC界面で反応せず、特性が向上したと考えられる。また、H_2アニールはSiO_2/Si界面のダングリングボンドの終端に有効であるため界面特性が向上した可能性がある。 |
| 抄録(英) | Silicon dioxide films were deposited by the thermal decomposition of tetraethylorthosilicate (TEOS) to form the MIS structure, and were annealed in hydrogen ambient to improve the quality of TEOS-SiO_2/SiC MIS interface. The quality of the film was improved by annealing in hydrogen ambient after deposition, and the interface state density was greatly reduced. Defects seemed to be formed at the interface between SiO_2 and SiC during the annealing in N_2 by the reaction of residual TEOS molecules in the SiO_2 film with the SiC surface. The interface property was improved by the annealing in Hi. This may be because no oxidation occurred and defects were terminated by H atoms during annealing in H_2. |
| キーワード(和) | TEOS / SiC / MOS / 化学気相成長 / アニール, |
| キーワード(英) | TEOS / SiC / MOS / CVD / annealing |
| 資料番号 | CPM2014-109 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2014/10/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TEOSを用いた熱CVD法による4H-SiC MIS特性に対するH_2アニールの効果(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Post-Deposition Annealing in Hydrogen Atmosphere on 4H-SiCMIS Property Prepared by Thermal CVD Method Using Tetraethylorthosilicate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TEOS / TEOS |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(4)（和/英） | 化学気相成長 / CVD |
| キーワード(5)（和/英） | アニール, / annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 狩野 巧生 / Takuo KANOU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 赤羽 桂幸 / Yoshiyuki AKAHANE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 悠太 / Yuta KOBAYASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山上 朋彦 / Tomohiko YAMAKAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上村 喜一 / Kiichi KAMIMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shinshu University |
| 発表年月日 | 2014-10-24 |
| 資料番号 | CPM2014-109 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 276 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |